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KN_3和TIN_3的能带结构、导电性和爆炸性 被引量：5
1
作者 肖鹤鸣 李永富 +1 位作者 高宝华 钱建军 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1996年第3期246-250,共5页
首次用推厂的Hückal晶体轨道(EHCO)法计算了叠氮化钾和叠氮化亚铊的能带结构.KN_3的带隙较大(E_g=4.75eV),带宽较小(BW=0.00～0.10eV),TIN_3带隙较小(Eg=1.55～2.42eV),带宽较大(BW=0.29～0.87eV).预示TIN_3比KN_3导电性强.比较前... 首次用推厂的Hückal晶体轨道(EHCO)法计算了叠氮化钾和叠氮化亚铊的能带结构.KN_3的带隙较大(E_g=4.75eV),带宽较小(BW=0.00～0.10eV),TIN_3带隙较小(Eg=1.55～2.42eV),带宽较大(BW=0.29～0.87eV).预示TIN_3比KN_3导电性强.比较前沿轨道之间的能级差(△E)和电子在其间的跃迁性质,表明KN_3比TIN_3钝感.从电子结构层次首次阐明了金属叠氮化物导电性和爆炸性之间的关系. 展开更多
关键词 氮化钾 氮化亚铊 能带结构 导电性 爆炸性
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