氮化温度对24Cr2Ni4MoV钢离子氮化显微组织的影响

为了提高24Cr2Ni4MoV钢零件的表面硬度和耐磨性,对24Cr2Ni4MoV钢进行了离子氮化工艺试验研究,应用光学显微镜和扫描电子显微镜等仪器对520,550,570℃共3个温度离子氮化试样的显微组织、氮化层深度、表面硬度、表面渗氮层脆性、脉状组织等进行了检测分析,并应用能谱仪对渗氮层中氮化物成分进行了分析。结果表明:24Cr2Ni4MoV钢具有良好的氮化效果,其最佳离子氮化温度为550℃;试样在550℃氮化后,不仅氮化层的各项性能均满足标准技术要求,而且提高了渗氮速率,缩短了渗氮时间。

氮化温度对ZnO薄膜结构特性的影响

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在蓝宝石（001）衬底上制备不同氮化温度的ZnO薄膜.结果表明,在200~600℃内,不同的氮化温度对薄膜的表面形貌和晶格结构有显著影响.

氮化温度对MgO-C耐火材料结构和性能的影响

为了优化MgO-C耐火材料的性能,以电熔镁砂、鳞片石墨和负载硝酸铁的硅粉为主要原料,热固性酚醛树脂为结合剂,经高温氮化制备了MgO-C耐火材料,并研究了催化剂的添加及不同氮化温度对MgO-C耐火材料结构和性能的影响。结果表明:氮化温度为1200℃时,与不含催化剂的试样相比,催化剂的添加促进了α-Si_(3)N_(4)、SiC和Mg_(2)SiO_(4)的生成,并显著改善了材料的机械强度,含1%催化剂的试样中生成的α-Si_(3)N_(4)呈颗粒状和晶须状,并交织生长,Mg_(2)SiO_(4)以块状形貌存在;随着氮化温度升高到1300℃,有少量的针状Mg_(2)SiO_(4)生成,且块状Mg_(2)SiO_(4)晶粒长大,此时材料表现出较好的机械强度,其常温抗折强度和常温耐压强度分别为10.82 MPa和55.17 MPa。

氮化温度对直接氮化法制备氮化硅纤维材料显微结构的影响

用工业硅粉为原料,首先通过发泡法结合凝胶注模制备硅的多孔坯体,然后高温氮化制备氮化硅纤维材料,借助XRD和SEM研究氮化温度对该材料显微结构的影响。结果表明:在1400℃氮化5 h,已经基本完全氮化,并且坯体在1375℃发生了剧烈的反应。氮化硅纤维主要在气孔中生长,生成的氮化硅纤维均为纳米纤维,其直径在50~250 nm,长度约10μm。随着氮化温度的升高,氮化硅纤维逐渐增多,泡沫孔壁趋于消失,孔壁的消失是由于SiO的生成。氮化硅纤维生长遵循VS和VLS机制。

GaN/TiO2-x异质结的制备以及氮化温度对其光电化学性能的影响

采用溶胶凝胶法,以硝酸镓为镓源、二氧化钛纳米粉末为钛源,制备出Ga2O3/TiO2粉末材料。将样品置于不同温度下氮化,得到GaN/TiO2-x粉末。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光分光光度计(PL)、表面光电压谱仪(SPV)、电化学工作站等对样品进行表征和性能测试,研究了氮化温度对样品的物相组成、微观形貌以及光电性能的影响。结果表明,氮化温度越高,Ga2O3被氮化的程度越高,GaN的结晶度越好。700℃下氮化时,TiO2保持原有状态,不发生相变和还原反应;当氮化温度达到750℃时,样品中的TiO2开始逐渐被还原为TiO2-x,且随着温度的升高,二氧化钛被还原的程度增大,TiO2-x量增多;从800℃开始,样品中几乎不含TiO2.紫外-可见光吸收数据显示,700℃氮化的样品吸收范围最大,900℃氮化的样品带隙最窄,而吸光度则大致随着氮化温度的升高而增大。电化学测试结果表明,850℃氮化的样品导电性最好,载流子浓度最高,且分离效率高,在-0.8V(vs.Ag/AgCl)偏压条件下,850℃和800℃氮化的样品瞬态光电流密度最高。

还原氮化温度对氮化铌纳米管组成、结构与电化学性能影响研究

以铌箔为基底,用阳极氧化法结合氨气还原氮化法制备出氮化铌纳米管,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)等结构表征手段和循环伏安法(CV)、充放电(GCD)和交流阻抗法(EIS)等电化学测试手段研究了还原氮化温度对纳米管的物相、形貌以及电化学性能的影响。结果表明,还原氮化后出现了氮化铌物相,以氧氮化铌固溶体形式存在,当还原氮化温度为700℃时,氮化铌纳米管阵列结构均匀,纳米管的孔内径约为35 nm,管壁厚度约为12 nm,纳米管长度约为1.5μm,样品中内在阻抗和电荷转移电阻较小,在电流密度为0.1 mA/cm2时,其比电容为400μF/cm2。

不同最高氮化温度的工艺比较及其对烧结制品性能的影响

在生产氯化硅结合碳化硅制品中，两种不同的最高氮化温度即高于硅熔点和低于硅熔点的氮化工艺对窑炉有不同的要求，同时，其氮化后的制品在抗折、抗压反抗热震性上也有所区别。

氮化处理温度对Ti(C,N)金属陶瓷组织和性能的影响

用热等静压设备对Ti(C,N)基金属陶瓷进行了氮化处理,用XRD、SEM/EDX研究了氮化处理温度对Ti(C,N)基金属陶瓷表面显微组织和性能的影响。结果表明,在金属陶瓷表面20μm范围内形成了富含Ti、N的硬化层。表面区较高的N的活度成为合金元素扩散的驱动力。在1150℃氮化处理时,有TiN、WC和Mo2C相在表面区生成。随着氮化处理温度的升高,Mo2C和WC相减少,内环形相和部分外环形相被富N的碳氮化合物所取代,表面区晶粒细化,硬化层逐渐变厚,并在硬化层与基体之间形成了富Ni的过渡层,其有利于提高表面层与基体的结合强度。综合分析认为,在1250℃下氮化处理,可以获得较理想的表面硬化层,其表面显微硬度可达93·8HRA。

不同氮化温度下h-BN对Al_(2)O_(3)-C耐火材料显微结构与性能的影响

以电熔白刚玉、鳞片石墨、活性α-Al_(2)O_(3)微粉、金属Al粉和Si粉为主要原料、h-BN(质量分数0%、3%)为添加剂,制备低碳Al_(2)O_(3)-C耐火材料,研究了不同氮化温度下添加h-BN对Al_(2)O_(3)-C耐火材料显微结构、物理性能以及抗氧化性能的影响。结果表明:添加h-BN促进了SiC晶须的生成,在1400℃氮化后添加h-BN样品的常温耐压强度和常温抗折强度较未添加h-BN样品分别提高了6%和10%;添加h-BN样品的抗氧化性能得以显著提升,其中1500℃氮化后添加h-BN样品的抗氧化性能较未添加h-BN样品提高了21%。

氮化钼深度加氢脱硫催化剂研究进展

介绍了γ-Mo2 N的制备方法 ,包括原料气空速、升温速率、氮化温度和恒温时间对γ-Mo2 N结构及其加氢脱硫活性的影响 ,以及不同的后处理方法和载体对γ-Mo2 N的加氢脱硫活性的影响。阐述了其作为加氢脱硫催化剂的作用机理 ,助催化组分的加入对其催化加氢反应的影响 。

氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.

曲轴的离子氮化处理

通过对超大曲轴离子氮化过程的各阶段进行优化设计,有效解决氮化温度上下不均匀的问题,在超大曲轴的各主轴颈及其圆根部位表面形成均匀的氮化层,为大型复杂零件的离子氮化工艺设计提供参考。

硅粉氮化反应合成氮化硅

研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素（包括硅粉粒度、氮化温度、成型压力、稀释剂含量等），借助XRD、SEM等测试手段测定和观察了氮化产物的物相组成和断口形貌。研究结果表明：硅粉在流动氮气氛下，高于1200℃氮化产物中氮含量明显增加；在氮化反应同时还伴随着硅粉的熔结过程，它阻碍硅粉的进一步氮化，其影响程度与氮化温度、氮化速度，素坯成型压力及硅粉粒度等工艺因素有关。在硅粉素坯中引入氮化，其影响程度与氮化温度、氮化速度，素坯成型压力及硅粉粒度等工艺因素有关。在硅粉素坯中引入氮化硅作为稀释剂，提高了硅粉的氮化率，使产物中残留硅量降低；同样在实际生产中可以通过控制适当热处理制度（如分段保温、慢速升温），达到硅粉的完全氮化。在生产中批量合成了含氮量为32．5％，残留硅量为0．05％，主要为α相，含少量β相的针状、柱状的氮化硅。

粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究

在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm。X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1。

Cr12WMoV钢氮化新工艺的研究

通过对药丸氮化，电解气相催渗氮化，喷砂氮化的对比试验，比较在不同的氮化方法，不同的氮化温度及时间条件下的氮化效果，制定合理的工艺参数。

真空离子氮化工艺在38CrMoAIA缸套生产中的应用

应用真空离子氮化代替传统的气体氮化工艺,对38Cr Mo AIA缸套进行氮化处理。通过对缸套试样实验结果分析,氮化后的表面硬度、梯度硬度、脆性等级、氮化深度、尺寸变化均达到缸套的技术要求。针对试验中重要环节,提出了氮化过程中需要注意的几个问题。真空离子氮化由于工艺成熟、氮化效果好可以应用于批量生产。

直接氮化法制备MgAlON材料的工艺研究

为了制备出单相的Mg Al ON材料,采用直接氮化法,以活性氧化铝微粉(α-Al2O3)、金属铝粉(Al)和高纯氧化镁微粉(Mg O)为原料,研究了反应温度和原料配比对产物物相组成及微观晶体形貌的影响。结果表明:在本实验条件下,试样中Al含量的增加有助于Al2O3相的消失和Mg Al ON相的生成,但加入量过多会产生多余的Al N相;当原料配比不变时,随着温度的升高,MgAl ON相也会增加。因此,在1 600℃、原料中Al含量为12%、Mg O的量为12%~15%的条件下,可以获得晶型发育良好的单相MgAl ON材料。

硅粉氮化制备氮化硅的机理研究进展

氮化硅(Si_(3)N_(4))因具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀、抗热震、抗氧化等优良性能,广泛应用于热交换器轴承、高温组件、发动机和燃气轮机等。氮化硅的制备方式有多种,目前工业大规模生产氮化硅最常用的是硅粉直接氮化。氮化硅具有α和β两种晶型,其中:α-Si_(3)N_(4)是低温亚稳定相;β-Si_(3)N_(4)是高温稳定相。因为α相和β相Si_(3)N_(4)以独立的机理形成,它们有各自的形成阶段和动力学定律。所以,此过程中温度、时间、添加剂等变量,会对α相和β相的含量造成不同程度的影响。该文献总结分析了硅粉直接氮化中各种变量对α-Si_(3)N_(4)和β-Si_(3)N_(4)形成机理的影响,并对其未来的研究方向进行了展望。

负载型氮化镓催化剂催化甲烷直接非氧化转化为乙烯

天然气和页岩气的大量供应使甲烷成为合成乙烯等有价值的化工原料的可靠来源。加拿大麦吉尔大学的研究人员,开发了一种新型氮化物负载型GaN/SBA15催化剂,用于甲烷直接非氧化转化制乙烯(https://doi.org/10.1016/j.apcata.2020.117430Get)。GaN/SBA15和未负载GaN催化剂的最佳氮化温度分别为700℃和750℃。负载型催化剂比非负载型催化剂更稳定,每克镓的产物(乙烯)生成率高5~10倍,这是因为其比表面积更大(>320对<20m2·g-1)且Ga在孔内分散。

晶体硅金刚线切割废料氮化反应的研究

为了综合利用晶体硅金刚线切割废料,以其为原料,使用卧式氮化炉进行氮化反应,研究了氮化温度(1300、1350、1400、1450和1500℃)、氮化保温时间(1、1.5、2、2.5和3h)以及α-Si3N4外加量(外加质量分数分别为0、5%、10%、15%和20%)对氮化反应的影响。结果表明:在一定范围内,氮化温度的升高有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成;氮化时间的延长有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成,但氮化时间过长会导致α-Si3N4转变为β-Si3N4,以及Si2N2O转化为Si3N4;以α-Si3N4为添加剂,有利于α-Si3N4的生成以及氮化反应的进行。综合考虑切割废料的氮化程度,较优氮化条件为1400℃保温3h,α-Si3N4添加剂外加量10%(w)。