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氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻—温度曲线之影响
被引量:
1
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作者
孙清池
王志会
王裕斌
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期24-27,共4页
本文研究了氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻-温度曲线之影响.实验表明,除BN外TiN、Si_3N_4、AlN也可以给出较平坦的电阻极大值.在适当的工艺条件下没有氮化物添加同样可以得到类似结果.
关键词
正温度系数电阻
氮化物添加
半导体陶瓷
钛酸钡
下载PDF
职称材料
题名
氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻—温度曲线之影响
被引量:
1
1
作者
孙清池
王志会
王裕斌
机构
天津大学材料系
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期24-27,共4页
文摘
本文研究了氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻-温度曲线之影响.实验表明,除BN外TiN、Si_3N_4、AlN也可以给出较平坦的电阻极大值.在适当的工艺条件下没有氮化物添加同样可以得到类似结果.
关键词
正温度系数电阻
氮化物添加
半导体陶瓷
钛酸钡
Keywords
posistor,nitride doping,semi-conducting ceramic,barium titanate
分类号
TN373 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻—温度曲线之影响
孙清池
王志会
王裕斌
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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