半导体功率器件用氮化硅基片专利技术专利现状

本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等,希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。

氮化硅基陶瓷刀具材料的研究现状

本文对Si3N4 基陶瓷刀具材料的力学性能、增韧补强机理、助烧剂的选择及烧结工艺作了较详细的概述。

非水体系模板法合成新颖形貌氮化硅基材料

以乙腈为溶剂,十八胺为模板剂通过非氧化物溶胶-凝胶过程合成了新颖形貌的氮化硅基材料.通过X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),扫描电子显微镜(SEM),N2吸附-脱附和电子能谱(EDS)对样品进行了表征.结果显示,材料呈现出由薄膜组成的花瓣状和树叶状新颖形貌,且具有很高的比表面积和孔径分布很窄的纳米孔,同时证明了在非水体系中表面活性剂也存在自组装现象,从而可以作为模板剂来合成具有特殊介观结构和形貌的材料.

氮化硅基陶瓷连接技术的研究进展

陶瓷连接技术是结构陶瓷实用化的有效手段 ,焊料成分对连接体的性能具有决定性作用。本文主要从焊料成分选择的角度 ,总结了氮化硅基陶瓷连接技术的发展现状 ;并重点讨论了陶瓷 /玻璃复合焊料在 β -Sialon陶瓷连接中的应用。

氮化硅基多孔陶瓷的制备技术、孔隙结构控制方法及其研究进展

氮化硅基多孔陶瓷充分发挥了氮化硅陶瓷和多孔陶瓷的特性,受到全球材料界的广泛关注。总结了国内外氮化硅基多孔陶瓷的研究现状,概述了氮化硅基多孔陶瓷的制备技术,重点分析了氮化硅基多孔陶瓷的孔隙结构控制。针对不同应用领域对材料结构和性能的不同要求,指出孔隙结构的精确控制、不同相组成控制方法和降低工艺成本是今后氮化硅基多孔陶瓷的发展趋势。

耐高热环境氮化硅基复合陶瓷头罩的研究现状

介绍了国内外耐高热环境氮化硅基复合陶瓷头罩材料的研究进展及应用情况,简要地介绍了氮化硅基复合陶瓷头罩研制过程中的关键技术。

微波烧结氮化硅基复合陶瓷刀具材料摩擦特性研究

采用微波烧结技术制备了一种氮化硅基复合陶瓷刀具材料,研究了其与三种不同属性的硬质材料(氮化硅、硬质合金和GCr15轴承钢)在不同载荷下对摩时的摩擦特性与磨损机理.研究结果表明:当与氮化硅对摩时,磨损率最大且磨损率随载荷增大急速升高,磨损主要以脆性剥落形式存在;当与硬质合金对摩时,摩擦系数最小,随载荷增加磨损机理由磨粒磨损转变为磨粒磨损与疲劳磨损共同作用.当与轴承钢对摩时,磨损率最小,因在摩擦过程中在磨痕表面形成金属黏着,其磨损率随载荷的增大而减小.与商业的氮化硅陶瓷刀具材料相比,微波烧结氮化硅陶瓷刀具材料摩擦系数略有降低,磨损率降低了14.17%～59.49%.

激光法测试氮化硅陶瓷基板导热系数的探讨

根据氮化硅陶瓷基板新材料产业计量测试需求,本文以采用激光闪射法测试氮化硅陶瓷基板的导热系数服务过程为例,介绍了NETZSCH LFA467激光导热仪的测试原理及不同支架的测试方法实践应用。结果表明:对于工艺厚度小于1mm的氮化硅陶瓷基板,选用组合样品支架测试,测试结果的稳定性和准确性较高。

SiC功率模块用氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究进展

国内新能源汽车领域对SiC功率模块的高压、大功率和高可靠的要求,为氮化硅陶瓷活性金属焊接(AMB)覆铜基板的大规模应用提供了支撑。从氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备工艺流程入手,重点介绍国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究现状。综述了氮化硅陶瓷基板的国内外研究进展,并总结了提升氮化硅陶瓷基板热导率和强度的主要方法。汇总了氮化硅陶瓷AMB覆铜用活性焊料的类型、作用机理和应用方法。阐述了获得低空洞率氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的钎焊方法。简述了氮化硅陶瓷AMB覆铜基板刻蚀的工艺流程。从镀液选择、镀覆时间、镀液温度等方面,详细论述了氮化硅陶瓷AMB覆铜基板在镀覆工艺中的注意事项。最后指出了国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板在材料性能和生产工艺上的不足,并展望了未来氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究及发展方向。

日本NGK(碍子)斥资50亿日元,扩大氮化硅陶瓷电路板2.5倍产能

3月7日,日本NGK(碍子)公司宣布将投资50亿日元(约合人民币2.44亿元)扩大绝缘散热电路板(以氮化硅基板进行金属化和蚀刻)生产能力的决定,在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。

碳纤维增韧增强氮化硅陶瓷基复合材料力学性能的数值模拟

斟于基体平均应力法以及等效夹杂法,提出了种求连续相材料的应力和应变T anakke-Mori Eshelby 1的近似理论,由此可精确评估两相和相复合材料的力学性能。本文利用计算机模拟对碳纤维增韧的氮化硅复3合材料(Cf/Si3N4的弹性模量、剪切模量和泊松比进行理论计算,从其内部微观结构出发,探讨了不同相含)量、气孔的含量以及形状等对复合材料学性能的影响。

PCD刀具切削加工氮化硅（Si_3N_4）基工程陶瓷的合理切削速度

本文从切削速度对切削力、已加工表面粗糙度、刀具耐用度、切削路程的影响的角度对采用聚晶金刚石刀具切削加工氨化硅（Ｓｉ３Ｎ４）基工程陶瓷合理切削速度的选择进行了讨论。提出，当切削速度Ｖ＝３０～４０ｍ／ｍｉｎ时，可获得良好的效益。

SPS制备氮化硅/锌铝基复合材料的组织和性能研究

通过放电等离子烧结工艺制备了氮化硅/锌铝基复合材料,重点探讨了氮化硅添加量对氮化硅/锌铝基复合材料致密度、硬度和摩擦性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)及电子探针X射线显微分析仪(EPMA)对样品的微观组织进行了分析,并使用显微硬度仪、旋转摩擦试验仪对其性能进行了研究。结果表明:氮化硅在样品中分散均匀,且氮化硅的加入能够明显提高样品的致密度和硬度。当在锌铝合金中加入质量分数为20%氮化硅时,氮化硅/锌铝基复合材料致密度达到95.53%,同时与高锌铝合金烧结试样相比,其硬度提高了58.5%,达到162.56HV。氮化硅/锌铝基复合材料的耐磨性随着氮化硅的添加呈现先增加后下降的趋势,添加量为20%时摩擦系数达到最佳为0.2103,磨损量为0.00337 mm^(3)。

通过氮化硅基质中SiO2的现场碳热还原反应制备Si3N4-SiC微／纳米复合材料

利用α-Si3N4、无定形碳(炭黑)和Y2O3组成的混合物，通过对Si3N4基质微粒表面上的SiO2进行碳热还原反应，或在原料基质中加入该混合物，制备了SiC／Si3N4微／纳米复合材料。进行特殊的热处理后，CO气体(碳热还原反应产物)从材料中排出，材料残余孔隙度降至2％以下。在SiC和Si3N4界面上，存在包含无定形富氧层的粒间和粒内SiC内含物，它是由单体碳和熔融二氧化硅反应而生成的。反应要消耗晶界相中的二氧化硅。晶界化学性质的改变对本纳米级复合材料的室温性能和高温性能都有影响。

氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展

氮化硅陶瓷不仅具有较高的力学性能还具有良好的透波性能、导热性能以及生物相容性能,是公认的综合性能最优的陶瓷材料。作为轴承球的致密氮化硅陶瓷广泛应用在机械领域;作为透波材料的多孔氮化硅陶瓷广泛应用在航空航天领域;随着对氮化硅陶瓷材料的深入研究,其在导热性和生物相容性方面的优异特性逐渐被科研工作者认识并得到开发和应用。本文详细阐述了氮化硅粉体的制备方法,并综述了氮化硅陶瓷作为结构陶瓷在机械领域和航空航天领域的研究进展,此外还介绍了其作为功能陶瓷在半导体领域、生物制药领域的研究和应用现状,最后对其未来发展进行了展望。

碳化硅增强氮化硅陶瓷复合材料的制备与表征

为了增加陶瓷球的韧性和耐磨性,提高轴承的抗冲击能力,在氮化硅中掺杂碳化硅,将硅粉、碳粉按一定比例混合,在氮气环境下采用自蔓延高温合成技术烧结,用热压烧结法制备不同碳含量的复合陶瓷,并通过试验研究其性能。结果表明:在氮化硅基陶瓷中掺杂质量分数为5%的碳化硅能改善晶界,有效抑制陶瓷球疲劳裂纹的扩展,材料韧性提高19. 23%,磨损率降低20. 83%,陶瓷轴承的抗冲击性能大大提高。

氮化硅陶瓷的烧结工艺及其半导体应用进展

氮化硅陶瓷是一种具有特殊的结构以及很好的热学性能与力学性能的陶瓷材料。本文综述了氮化硅陶瓷的主要烧结方法,并总结展望了氮化硅陶瓷的未来发展前景。

氯化硅基陶瓷制品的生产工艺与应用前景综述

综合、系统地介绍对氮化硅基陶瓷制品生产所采用的工艺方法,并对其应用前景进行展望。