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题名SiO2/4H-SiC界面氮化退火
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作者
赵艳黎
李诚瞻
陈喜明
王弋宇
申华军
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机构
株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期215-218,共4页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2103ZX02305)
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文摘
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数。制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数。实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012cm-2·e V^(-1)@0.2 e V,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V^(-1)·s^(-1)。
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关键词
SiO2/4H-SiC
氮化退火
界面态密度
平带电压
C-V磁滞电压
迁移率
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Keywords
SiO2/4H-SiC
nitridation annealing
interface state density
flatband voltage
C-V hysteresis voltage
mobility
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名浦项脱碳氮化退火生产取向硅钢最新技术
被引量:1
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作者
谌剑
卢凤喜
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机构
武钢销售公司
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出处
《金属材料研究》
2010年第4期52-54,共3页
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文摘
新技术的特点是脱碳退火和氮化处理同时进行,其处理温度比常规的退火温度高。这种技术可节能高效地生产高磁感、低铁损的新型取向硅钢。
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关键词
低温板坯加热
脱碳氮化退火
节能高效
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Keywords
low-temperature slab heating, decarburization-nitride annealing, energy conservation and high efficiency
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分类号
TG337.3
[金属学及工艺—金属压力加工]
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