多弧离子镀工艺对TiN/Ti与Cr/Cu界面及微结构的影响

用多弧离子镀技术在铜基上电镀Cr/Ni层进行不同工艺条件下多弧离子沉积TiN/Ti实验 .借助X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)研究了TiN/Ti与Cr/Cu接触界面形成、微结构及其组分与形貌 .XRD分析显示 ,薄膜表面组分包含TiN ,Ti2 N多晶相外 ,还包含一些Cr Ti的金属间化合物等 .显然 ,TiN ,Ti2 N在表面上已形成 .SEM观察指出 ,在 90℃制备的表面膜具有不平整的类枝状结晶结构 .随着温度升高至 170℃ ,得到精细TiN/Ti覆盖层表面 ,XRD峰强度增大 .

C^+离子注入改善C^+注入多层TiN/Ti膜特性

用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)引出的C^+注入了多弧离子镀TiN多层膜C^+注入TiN膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加.X射线分析(XRD)表明,在注入的膜中TiC相已经形成,退火前后TiN(111)和TiC(111)为优先生长相,Auger分析表明在单层TiN膜中碳原子按Gauss型分布,在多层TiN/Ti膜中注入碳原子为多峰的分布.由此可见用C^+离子注入形成Ti(C,N)/TiN/Ti(C,N)/TiN和Ti(C,N)/TiC/Ti(C,N)/TiC多层结构.这种结构的形成明显改善了TiC镀层特性.