制备氮化钼电极的两种方法对比

采用压片法和浸渍—升温法制备了氮化钼电极,运用循环伏安法测试了电极的电化学性能,就测试结果将两种方法进行了对比,发现浸渍—升温法制备的氮化钼电极电容特征明显,动力学可逆性良好,适合作为电化学电容器的电极材料。

钒化合物对氮化钼电极的影响

在氮化钼的制备中加入了钒化合物,研究了其对氮化钼电极的影响。钒化合物加入后,氮化钼电极的工作电势窗口拓宽约0.34v,电极的电化学性能得到明显改进。

铝对氮化钼膜电极性能的影响

用循环伏安法、XRD、SEM等手段 ,研究了铝对氮化钼膜电极性能的影响 .结果表明 ,用浸渍 -煅烧法制备的氮化钼膜电极 ,浸渍液中添加剂 Al2 (SO4) 3.6H2 O的量对电极电化学性能有显著影响 ;当添加剂的量为最佳值时 ,电极比电容是未加添加剂时的 2 .6倍 ,工作电势拓宽了 0 .1 3 V.铝对γ-Mo2 N电极电化学性能的影响机制为 :在膜电极中大量的跨度在微米级的沟壑与孔径大于 2 nm的孔隙 ,使电解质溶液能充分润湿电极成膜物质的内表面 ;在膜电极中生成适量的 Al1 1 O1 5 N.

氮化钼膜电极制备工艺及其电化学行为的研究

研究了氮化钼膜电极的浸渍－煅烧法制备工艺条件及其电化学行为．试验结果表明，浸渍－煅烧法制备高活性氮化钼电极适宜的浸渍干燥温度为５１３～４７３Ｋ，煅烧升温速率为１Ｋ·ｍｉｎ－１，煅烧温度为９９０Ｋ，煅烧时间为２ｈ；冷却方式为在氨气保护下随炉降温；浸渍－煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀，与基体附着性强；在－０．２２～０．３６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）电位范围内，循环伏安图基本上呈现矩形，当扫描速度ｓ≤１００ｍＶ·ｓ－１时，电流密度与电势扫描速度成正比，电极电容特征显著，动力学可逆性好，稳定性与重现性好．

γ-Mo_2N电极的浸渍-煅烧法制备及其表征

运用 XRD、SEM、循环伏安法等现代测试手段 ,对浸渍 -煅烧法制备的 γ-Mo2 N电极进行了表征。结果表明 ,浸渍 -煅烧法制备γ-Mo2 N电极的关键是对升温速率、煅烧温度与时间、冷却方式的选择 ;浸渍干燥温度对极膜的均匀性及极膜与基体的附着性有显著的影响 ;在优化条件下制备的 γ-Mo2 N电极 ,电化学电容特征显著 ,充放电过程动力学可逆性、稳定性与重现性好。