氮化钼膜电极制备工艺及其电化学行为的研究

研究了氮化钼膜电极的浸渍－煅烧法制备工艺条件及其电化学行为．试验结果表明，浸渍－煅烧法制备高活性氮化钼电极适宜的浸渍干燥温度为５１３～４７３Ｋ，煅烧升温速率为１Ｋ·ｍｉｎ－１，煅烧温度为９９０Ｋ，煅烧时间为２ｈ；冷却方式为在氨气保护下随炉降温；浸渍－煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀，与基体附着性强；在－０．２２～０．３６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）电位范围内，循环伏安图基本上呈现矩形，当扫描速度ｓ≤１００ｍＶ·ｓ－１时，电流密度与电势扫描速度成正比，电极电容特征显著，动力学可逆性好，稳定性与重现性好．