高碘酸钾和双氧水对Cu,Ru和TaN去除速率影响的对比

Ru/TaN双分子层已经逐渐成为替代传统双分子阻挡层Ta/TaN的最佳选择,而在不同氧化体系中针对Cu,Ru和TaN三种金属去除速率的研究并不多。分别在H_2O_2和KIO_4两种氧化体系中,通过化学机械抛光（CMP）和电化学研究了Cu,Ru和TaN的去除速率及去除机理。测试结果表明：H_2O2和KIO_4均可以通过氧化Cu,Ru和TaN三种金属的表面从而提高三种材料的去除速率。不同的是,使用KIO_4作为氧化剂可以得到一个更高的Ru去除速率和更高的去除速率选择性,其原因为Ru在KIO_4溶液中更易于形成可溶的RuO_4^-和RuO_4^（2-）离子。此外,通过原子力显微镜（AFM）分别测试了Cu,Ru和TaN三种金属的表面粗糙度,结果表明：对比KIO_4,在H_2O_2抛光体系中Cu,Ru和TaN可以得到更好的表面质量。