氮化铝单晶薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)技术 ,在c轴取向的蓝宝石即α Al2 O3( 0 0 0 1)衬底上 ,以氮化镓 (GaN)缓冲层和外延层作为初始层 ,分别以高纯氮气 (N2 )和三甲基铝 (TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝 (AlN)薄膜 .并利用反射高能电子衍射 (RHEED)、原子力显微镜 (AFM)和x射线衍射 (XRD)等测量结果 ,研究了氢等离子体清洗、氮化和GaN初始层对六方AlN外延层质量的影响 ,从而获得解理性与α Al2 O3衬底一致的六方相AlN单晶薄膜 ,其XRD半高宽为

六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫光发光机理

利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出六方单晶氮化铝(h-Al N)薄膜.反应温度为450℃,有效反应时间为20 h.高分辨率透射电镜发现为薄膜形态;电子衍射和X射线衍射结果都表明,氮化铝薄膜为六方结构.光致发光实验显示,在可见光范围内有一较强的辐射峰,中心位于413 nm处,半高宽约为5 nm.同时,本文对六方单晶氮化铝薄膜的生长机理和光致发光机理也进行了讨论.

边缘空气层薄膜体声波谐振器的设计与制备

压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高谐振器的品质因数。使用COMSOL对设计的器件进行有限元模拟仿真,并成功制备出具有边缘空气层结构的谐振器进行测试验证。

日本厂校合作成功首创高质量氮化铝单晶膜

日本东京农科大学和日本轻金属公司合作，首先研发成功高质量氮化铝单晶膜生长技术，该成果为世界首创。据认为，这一成就为大批量生产氮化铝单晶薄膜开辟了道路。这种薄膜可用以开发代替现有发光装置和荧光灯的新光源。研究采用高纯度氯化铝进行氢化物气相外延生长（HVPE）工艺技术。