氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（Al2O3）层后，就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（A1203）层后，就能借鉴Cu箔和A1203基片高温键合工艺制作性能优良的AlNDBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AINDBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AINDBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

耐电压高导热铝基覆铜板的研究

以氮化铝为导热填料对环氧树脂进行填充改性,制备铝基覆铜板。研究氮化铝的填充量对铝基板绝缘层耐电压、热导率以及剥离强度的影响。对氮化铝进行表面处理,并对处理后的氮化铝对铝基板绝缘层性能的影响进行分析。结果表明:绝缘层的热导率随氮化铝填充量的增加而增大,在填充量大于40%时呈现快速增长,而剥离强度随填充量的增加而降低,耐电压性能在高填充时急剧下降;对氮化铝进行表面处理能显著提高绝缘层在高填充下的耐电压性能,同时剥离强度也得到明显改善。

陶瓷表面制备铜基金属覆层工艺及结合机理

通过对脉冲式YAG激光器在Al N陶瓷表面制备铜基金属覆层工艺进行优化,调整激光熔覆工艺参数,并进行熔覆前预热和熔覆后缓冷的工艺措施降低陶瓷基体的开裂倾向,引入活性金属钛来提高金属在Al N陶瓷表面的润湿性.结果表明,在陶瓷基体和铜基金属覆层之间形成过渡层,过渡层厚度随着电流的增大而增大,从陶瓷基体到铜基金属覆层,Ti元素含量先增高后降低,O元素含量先增大后减小,Cu,Al,N元素含量均呈现平滑过渡;通过SEM和微区XRD可以发现在激光熔覆过程中,Cu,Ti元素与陶瓷基体之间发生冶金反应,形成TiO_2,Ti_3Al,Cu_4Ti_5,Al_2TiO_3,Ti_2N等冶金产物.

功率模块用陶瓷覆铜基板研究进展

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子领域中最重要的大功率器件,大规模应用于电动汽车、电力机车等领域。陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性,又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能,是IGBT功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。本文介绍了陶瓷覆铜板中陶瓷基板材料和覆铜技术的研究现状,并展望了陶瓷覆铜板在下一代功率模块上的应用前景。

一种功率模块封装用高导热金属基覆铜板

随着导热金属基板(MCCL)的高速发展,材料的各项指标也在高速提升优化,因此MCCL被广泛的应用到各个领域,其中就包括功率模块封装领域。本文介绍了一款高导热型MCCL,其绝缘基材采用ASTM D5470法测试导热系数为4W/m·K,设计绝缘层厚度为130μm,对应击穿电压达10kV。该MCCL兼具优异的绝缘性能、良好的散热能力,在小功率封装器件中可替代氧化铝陶瓷基覆铜板,实现产品小型化、轻型化等优势。

北京科技大学覆铜陶瓷基板工程化制造研究获突破

北京科技大学材料学院的研究人员在活性金属钎焊（AMB）陶瓷覆铜基板工程化制造领域取得突破，在国内率先成功研制出了大面积（4．5”×4．5”）氮化铝覆铜基板。

金属基覆铜板等两项覆铜板CPCA标准表决稿得到通过

2016年5月26日中国印制电路行业协会(CPCA)提出的两项覆铜板为主题的CPCA协会标准,通过了表决稿。这两项行业标准为《有机陶瓷基覆铜箔层压板》、《印制电路用金属基覆铜箔层压板》。《有机陶瓷基覆铜箔层压板》标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草,主要起草单位:廊坊市高瓷电子技术有限公司、河北工业大学、北京航空航天大学、麦克罗泰克实验室。该标准适用于以陶瓷粉为主要材料,

AlN基板材料研究进展

氮化铝 (AlN)以其优异的高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界和生产厂家的广泛关注 ,被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。详细综述了AlN基板在导热机理、基片制备、金属化和烧结工艺方面的研究进展 ,展望了AlN基板的发展趋势和前景。

具有特殊功能的覆铜板

这里所指的特殊功能的覆铜板，主要是指：金属基（芯）覆铜板、陶瓷基覆铜板、高介电常数板、埋置无源元件型多层板用覆铜板（或基板材料）、光一电线路基板用覆铜板等。开发、生产这一类覆铜板，不但是电子信息产品新技术发展的需要，而且还是发展我国宇航、军工的需要。