铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究

在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.

铝和氮化铝陶瓷结合强度与机理研究

在氮气气氛下、保温10min、948～1098K利用活性金属铸接方法制备铝/氮化铝陶瓷基板,用力学试验机、扫描电子显微镜、高温金相光学显微镜和原子力显微镜对铝/氮化铝陶瓷的结合强度和机理进行研究.结合温度低于973K时,铝和氮化铝陶瓷之间的剥离强度随结合温度升高线性增大,当结合温度超过973K时,结合温度对强度影响很小,铝和氮化铝陶瓷之间的结合强度约为49N/mm,铝和氮化铝陶瓷之间的结合为物理湿润和化学反应湿润共同作用.

L波段大功率开关的研制

根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单。实现在L波段上,通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号,插入损耗小于0.8 d B,隔离度大于35 d B。