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六方InN薄膜的载流子输运特性研究 被引量：2
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作者 潘葳 沈文忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1501-1506,共6页
通过变温 (10— 30 0K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs (111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程 .在晶界势垒模型的基础上 ,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度 ,载流子输运特性是由于空穴在晶界... 通过变温 (10— 30 0K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs (111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程 .在晶界势垒模型的基础上 ,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度 ,载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的 .从获得的InN薄膜晶界势垒高度 ,可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度 ,结果与显微拉曼散射实验结果相一致 ,这进一步说明了晶界势垒模型适用于描述InN中的载流子输运特性 . 展开更多
关键词 氮化铟薄膜 载流子输运 晶界势垒模型 拉曼散射
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