考虑电子-表面光学声子相互作用及流体静压力的影响,采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物三元混晶A_(x)B_(1-x)N(A,B=Al, Ga and In)中表面电子态问题。对纤锌矿Al_(x)Ga_(1-x)N,Al_(x)In_(1-x)N和In_(x)Ga_(1-x)N材料,导出了电子-表面...考虑电子-表面光学声子相互作用及流体静压力的影响,采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物三元混晶A_(x)B_(1-x)N(A,B=Al, Ga and In)中表面电子态问题。对纤锌矿Al_(x)Ga_(1-x)N,Al_(x)In_(1-x)N和In_(x)Ga_(1-x)N材料,导出了电子-表面光学声子相互作用系统的有效哈密顿量,数值计算了表面电子态能级及其移动量和电子-表面光学声子耦合常数分别随流体静压力和组分的变化关系。结果表明,考虑电子-表面光学声子相互作用后表面电子态能级会下降几十meV。随流体静压力的增加,材料晶格常数和禁带宽度的变化所引起的表面电子态能级的升降博弈导致表面电子态能级随流体静压力的变化比较复杂。而表面电子态能级随组分的变化是单调的。流体静压力下纤锌矿氮化物三元混晶中,电子-表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略,尤其是对于具有较宽禁带宽度和较强电子-声子耦合的材料。展开更多
文摘考虑电子-表面光学声子相互作用及流体静压力的影响,采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物三元混晶A_(x)B_(1-x)N(A,B=Al, Ga and In)中表面电子态问题。对纤锌矿Al_(x)Ga_(1-x)N,Al_(x)In_(1-x)N和In_(x)Ga_(1-x)N材料,导出了电子-表面光学声子相互作用系统的有效哈密顿量,数值计算了表面电子态能级及其移动量和电子-表面光学声子耦合常数分别随流体静压力和组分的变化关系。结果表明,考虑电子-表面光学声子相互作用后表面电子态能级会下降几十meV。随流体静压力的增加,材料晶格常数和禁带宽度的变化所引起的表面电子态能级的升降博弈导致表面电子态能级随流体静压力的变化比较复杂。而表面电子态能级随组分的变化是单调的。流体静压力下纤锌矿氮化物三元混晶中,电子-表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略,尤其是对于具有较宽禁带宽度和较强电子-声子耦合的材料。