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GaN薄膜表面缺陷密度的提取
1
作者
王俊平
任春丽
+2 位作者
冯倩
张会宁
郝跃
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第3期194-197,共4页
在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像;然后基于数学形态学方法提取出...
在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像;然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。
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关键词
氮化锿薄膜
缺陷
密度提取
二值化
数学形态学
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职称材料
题名
GaN薄膜表面缺陷密度的提取
1
作者
王俊平
任春丽
冯倩
张会宁
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院
西安电子科技大学通信工程学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第3期194-197,共4页
基金
北京大学信息处理国家重点实验室开放课题基金项目(J62103010026)
国家"863"计划项目(2003AA1Z1630)
文摘
在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像;然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。
关键词
氮化锿薄膜
缺陷
密度提取
二值化
数学形态学
Keywords
Gallium nitride film, Defect, Density extraction, Binarization, Mathematical morphological
分类号
TP341 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN薄膜表面缺陷密度的提取
王俊平
任春丽
冯倩
张会宁
郝跃
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006
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