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Ku波段60W AlGaN/GaN功率管
被引量:
10
1
作者
钟世昌
陈堂胜
+2 位作者
钱锋
陈辰
高涛
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期350-353,共4页
针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研...
针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。
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关键词
氮化镓功率管
KU波段
内匹配
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职称材料
题名
Ku波段60W AlGaN/GaN功率管
被引量:
10
1
作者
钟世昌
陈堂胜
钱锋
陈辰
高涛
机构
南京电子器件研究所
单片集成电路及模块电路国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期350-353,共4页
基金
南京电子器件研究所单片电路设计部
文摘
针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。
关键词
氮化镓功率管
KU波段
内匹配
Keywords
GaN transistor
Ku-band
internal matching
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ku波段60W AlGaN/GaN功率管
钟世昌
陈堂胜
钱锋
陈辰
高涛
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
10
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