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我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破
1
《科技中国》
2005年第3期51-51,共1页
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破.在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。该氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延的...
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破.在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。该氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延的多量子阱增益波导结构,激射波长为410nm,条宽5μm,条长800μm。
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关键词
中国
氮化镓基激光器
半导体技术
波长
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职称材料
题名
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破
1
出处
《科技中国》
2005年第3期51-51,共1页
文摘
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破.在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。该氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延的多量子阱增益波导结构,激射波长为410nm,条宽5μm,条长800μm。
关键词
中国
氮化镓基激光器
半导体技术
波长
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破
《科技中国》
2005
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