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惰性盐辅助法合成氮化镓纳米棒及其场发射性能研究(英文)
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作者 吕英英 王云华 +1 位作者 谢鑫 余乐书 《上饶师范学院学报》 2012年第3期56-61,共6页
以惰性盐为分散剂,通过直接氮化金属镓与氟化钙的混合物,在较低温度下(650℃)大量合成出角面截面型氮化镓纳米棒,大大低于以往文献报道的氮化温度(900℃以上)。通过X射线衍射和电子显微镜等设备表征,可知所制得的产物为六方相氮化镓纳米... 以惰性盐为分散剂,通过直接氮化金属镓与氟化钙的混合物,在较低温度下(650℃)大量合成出角面截面型氮化镓纳米棒,大大低于以往文献报道的氮化温度(900℃以上)。通过X射线衍射和电子显微镜等设备表征,可知所制得的产物为六方相氮化镓纳米棒,且纳米线沿着c轴择优生长;每根氮化镓纳米棒都具有菱形或三角形截面。由于本方法的制备温度低,导致了氮化镓纳米棒与硅基片的良好接触。场发射实验表明,该复合系统具有很低的开启电压(5.4V/μm)和阈场(8.4V/μm)。 展开更多
关键词 氮化镓纳米棒 低温合成 CVD 场发射
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氨化磁控溅射Ga_2O_3/BN薄膜制备GaN纳米棒
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作者 吴玉新 薛成山 +5 位作者 庄惠照 田德恒 刘亦安 孙莉莉 王福学 艾玉杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期129-132,共4页
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品... 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。 展开更多
关键词 磁控溅射 氨化 氮化镓纳米棒 光致发光
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Synthesis of GaN Nanorods with Herringbone Morphology
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作者 杨利 庄惠照 +2 位作者 王翠梅 魏芹芹 薛成山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期337-341,共5页
Hexagonal GaN nanorods are synthesized on quartz substrates through ammoniating Ga 2O 3 thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering.X ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),high ... Hexagonal GaN nanorods are synthesized on quartz substrates through ammoniating Ga 2O 3 thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering.X ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),high resolution transmission electron microscopy (HRTEM),and photoluminescence (PL) are used to analyze the synthesized GaN nanorods.Among the products,one dimensional GaN nanostructures owning protuberances on the surface are detected,which show interesting herringbone morphology.The analysis reveals that the herringbone GaN nanorods are polycrystalline composed of overlapping parallelepiped GaN nanocrystals arranged along the major axis.The large blue shift of yellow PL luminescence of the nanorods is observed at room temperature. 展开更多
关键词 Ga 2O 3 thin films GaN nanorods ammoniate
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