氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性

研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化 H2 -O2 合成薄栅介质的击穿特性随测试 MOS电容面积的增加基本保持不变 .对于时变击穿 。

氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2

一种抗总剂量辐照的NMOSFETs

在商用 SIMOX衬底上制备了抗辐照 NMOSFETs,使用的主要技术手段有 :氮化 H2 -O2 合成栅介质加固正栅 ;增加体区掺杂 ,以提高背栅阈值电压 ;采用 C型体接触结构 ,消除边缘寄生晶体管。结果表明 ,在经受 1× 1 0 6 rad( Si)的辐照后 。

全耗尽CMOS/SOI工艺

对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5

抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs

在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用H型栅结构,消除边缘寄生晶体管。结果表明,在经受1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化。