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p^+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究
被引量:
1
1
作者
王善忠
谢绳武
+3 位作者
庞乾骏
姬荣斌
巫艳
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期397-400,共4页
研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达~ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;...
研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达~ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (~ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .
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关键词
氮掺杂源
单晶薄膜
硒化锌
半导体
下载PDF
职称材料
题名
p^+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究
被引量:
1
1
作者
王善忠
谢绳武
庞乾骏
姬荣斌
巫艳
何力
机构
上海交通大学应用物理系
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期397-400,共4页
文摘
研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达~ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (~ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .
关键词
氮掺杂源
单晶薄膜
硒化锌
半导体
Keywords
nitrogen doping source, MBE,p ZnSe, characterization.
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p^+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究
王善忠
谢绳武
庞乾骏
姬荣斌
巫艳
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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