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题名退火工艺对微波等离子制备氮杂二氧化钒的影响
被引量:3
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作者
陈金民
黄志良
刘羽
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机构
湄洲湾职业技术学院化学工程系
武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期888-892,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(50774055)
湖北省自然科学基金项目(2005ABA024)
湖北省科技厅重大攻关项目(2006AA101C45)
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文摘
选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢作为气源、高纯氮作为掺杂物,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。经过退火工艺的处理,采用XRD、SEM、AFM和相变温度测试对样品进行表征,结果表明:退火后VO2-xNy薄膜的表面没有太大的变化,但是退火后样品表面有裂纹出现,薄膜的晶体颗粒大小呈现正态分布,颗粒尺寸较均匀。退火有利于增加其纯度,改善样品结晶度,晶体尺寸长大,并且样品的相变温度降低,幅度约为8℃。
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关键词
微波等离子体
氮杂二氧化钒
退火工艺
相变温度
薄膜
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Keywords
microwave plasma
nitrogen doped VO2-xNy
anneal craftwork
phase transition temperature
thin films
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分类号
TB43
[一般工业技术]
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题名微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜
被引量:2
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作者
陈金民
黄志良
刘羽
王升高
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机构
武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期743-745,749,共4页
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基金
湖北省自然科学基金资助项目(2005ABA024)
湖北省科技厅重大攻关资助项目(2006AA101C45)
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文摘
选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜。通过X射线衍射(XRD),FT-IR对样品进行表征,结果表明:合成的样品为多晶氮杂二氧化钒。相变温度测试结果表明:退火工艺可以降低相变温度,同时提高薄膜的结晶度;改变氮气流量,相变温度先降低后升高,当氮气流量为20ml/min时,相变温度可以降低至40℃。
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关键词
微波等离子体
VO2
氮杂二氧化钒
相变温度
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Keywords
microwave plasma
VO2
nitrogen doped VO2-xNy
phase transition temperature
thin film
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分类号
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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