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退火工艺对微波等离子制备氮杂二氧化钒的影响 被引量:3
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作者 陈金民 黄志良 刘羽 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期888-892,共5页
选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢作为气源、高纯氮作为掺杂物,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。经过退火工艺的处理,采用XRD、SEM、AFM和相变温度测试对... 选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢作为气源、高纯氮作为掺杂物,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。经过退火工艺的处理,采用XRD、SEM、AFM和相变温度测试对样品进行表征,结果表明:退火后VO2-xNy薄膜的表面没有太大的变化,但是退火后样品表面有裂纹出现,薄膜的晶体颗粒大小呈现正态分布,颗粒尺寸较均匀。退火有利于增加其纯度,改善样品结晶度,晶体尺寸长大,并且样品的相变温度降低,幅度约为8℃。 展开更多
关键词 微波等离子体 氮杂二氧化钒 退火工艺 相变温度 薄膜
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微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜 被引量:2
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作者 陈金民 黄志良 +1 位作者 刘羽 王升高 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期743-745,749,共4页
选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜。通过X射线衍射(XRD),FT-IR对样品进行表征,结果表明:合成的样品为多晶氮杂二氧化钒。相变温度测试结果表明:退火工艺可以降低... 选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜。通过X射线衍射(XRD),FT-IR对样品进行表征,结果表明:合成的样品为多晶氮杂二氧化钒。相变温度测试结果表明:退火工艺可以降低相变温度,同时提高薄膜的结晶度;改变氮气流量,相变温度先降低后升高,当氮气流量为20ml/min时,相变温度可以降低至40℃。 展开更多
关键词 微波等离子体 VO2 氮杂二氧化钒 相变温度
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