蚀刻与淀积的新概念反应室压力控制

本文叙述了一种采用小型干式泵的变速真空系统,可以取代传统的用于铝蚀刻和LPCVD氮化物淀积时的反应室压力控制,它更具大生产的价值。应用到单片晶圆(single-wafer)金属蚀刻设备时,它取消了靠近反应室的节流阀,从而减少了一个污染源,同时也减少了停工维修的时间。同样,应用到LPCVD氮化物淀积炉时,这种新设备不需要上游气压控制(upstreampressurecontrol)和氮气镇流(ni-trogenballasting),这样就大大减少了颗粒物的出现。