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GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
1
作者
李育强
刘璐
+1 位作者
朱剑云
徐静平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期17-21,共5页
采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si...
采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。
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关键词
金属-
氧化
物-
氮
化物-
氧化
物硅存储器
存储特性
氧化
钆
氮氧化钆
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职称材料
题名
GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
1
作者
李育强
刘璐
朱剑云
徐静平
机构
华中科技大学光学与电子信息学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期17-21,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60976091)
文摘
采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。
关键词
金属-
氧化
物-
氮
化物-
氧化
物硅存储器
存储特性
氧化
钆
氮氧化钆
Keywords
MONOS memory
memory characteristics
GdO
GdON
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
李育强
刘璐
朱剑云
徐静平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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