用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导

研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.

双离子束溅射制备非晶SiO_xN_y薄膜的强黄光发射(英文)

用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,并对薄膜的结构和光致发光(PL)性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构;用XPS对样品进行了表征,在397.8eV位置处出现一个对应于N1s的对称峰,表明样品中的N原子主要与Si原子结合,FTIR的实验结果也说明了这一点。光吸收测量结果显示SiOxNy薄膜的光学带隙比Si—SiO2薄膜宽。在225nm波长的激发下,测得在590nm处有强的黄光发射,并利用能带模型讨论了可能的发光机制。

SiO_xN_y薄膜退火过程中N元素的流失对于Si结晶的影响

通过不同的溅射工艺制得了3组SiOxNy薄膜样品,并进行了不同的退火工艺。在退火后的样品分析结果中发现了薄膜中的N流失现象,并且对N流失促进了Si结晶的这种特点进行了分析和讨论,为今后利用N流失现象进行S i纳米量子点的制备提供了实验和理论依据。