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TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
1
作者
邹晓
徐静平
张雪峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期338-341,共4页
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(~24)和良好的可靠性...
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(~24)和良好的可靠性。这些都归因于TaON界面层阻挡了O及金属原子向Ge衬底的扩散,抑制了不稳定的低κGeOx的生长,从而改善界面质量,增强器件性能。
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关键词
锗金属
氧
化物半导体
Hf基高κ
界面
特性
氮氧钽界面层
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职称材料
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究
被引量:
1
2
作者
张雪锋
季红兵
+2 位作者
邱云贞
王志亮
徐静平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1149-1152,共4页
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO...
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
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关键词
锗基p沟场金属-
氧
化物-半导体场效应晶体管
氮
氧
钽
铪
界面
层
高介电常数介质
散射
迁移率
下载PDF
职称材料
题名
TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
1
作者
邹晓
徐静平
张雪峰
机构
江汉大学机电工程系
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期338-341,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776016)
文摘
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(~24)和良好的可靠性。这些都归因于TaON界面层阻挡了O及金属原子向Ge衬底的扩散,抑制了不稳定的低κGeOx的生长,从而改善界面质量,增强器件性能。
关键词
锗金属
氧
化物半导体
Hf基高κ
界面
特性
氮氧钽界面层
Keywords
Ge MOS
Hf-based high-κ
interface property
TaON interlayer
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究
被引量:
1
2
作者
张雪锋
季红兵
邱云贞
王志亮
徐静平
机构
南通大学电子信息学院
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1149-1152,共4页
基金
国家自然科学基金(60776016)
江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003)
南通大学科研启动基金(09R08)
文摘
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
关键词
锗基p沟场金属-
氧
化物-半导体场效应晶体管
氮
氧
钽
铪
界面
层
高介电常数介质
散射
迁移率
Keywords
Ge MOSFET
TaON interlayer
high-k dielectric
scattering
mobility
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
邹晓
徐静平
张雪峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
2
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究
张雪锋
季红兵
邱云贞
王志亮
徐静平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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