氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响

p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .

氮离子注入对金莲花种子发芽率及幼苗生理特性的影响

为探究氮离子注入对药用植物金莲花(Trollius chinensis)生理特性的影响,本研究以金莲花种子为试验材料,利用离子注入诱变技术把不同剂量的氮离子注入金莲花种子,测定了金莲花的发芽率、可溶性蛋白含量、叶绿素含量、丙二醛(MDA)含量、过氧化氢(H_(2)O_(2))含量、抗氧化酶活性和抗氧化酶相关基因表达量。结果表明,随着注入剂量的增加,金莲花种子的发芽率、叶绿素含量、超氧化物歧化酶(SOD)和过氧化氢酶(CAT)的活性均呈现“升-降-升-降”的“马鞍型”变化趋势,过氧化物酶(POD)活性呈现“升-降-升”的变化趋势。较低剂量氮离子注入时,金莲花MDA含量和H_(2)O_(2)含量低于较高剂量组。3.0×10^(15)ions·cm^(-2)的氮离子注入可上调金莲花幼苗抗氧化相关基因的表达。综合多项指标认为,较低剂量氮离子注入可提高金莲花种子的活力,促进幼苗的生长发育,增加幼苗抗氧化酶的活性,增强幼苗的抗逆性,其诱变的优选剂量为3.0×1015ions·cm^(-2)。本研究结果为进一步研究金莲花氮离子注入诱变育种提供了理论依据。

温度对氮离子注入的Cr12MoV表面性能影响

利用等离子源离子注入 (PSII)技术对冷作模具钢材料Crl2MoV进行不同温度范围的处理 ,研究了温度在离子注入中对材料表面改性的影响。首先 ,在参数 (如能量、剂量等 )相同条件下 ,改变脉冲频率 ,即相对应地改变样品的表面温度对不同样品进行试验对比 ,分别测试其表面温度为 :2 5 0℃、31 2℃、36 5℃、41 2℃、471℃。然后在 31 2℃的温度条件下 ,分别做了不同剂量的试验。用X射线衍射分析 (XRD)表面结构、晶相变化 ;用俄歇电子能谱 (AES)分析注入氮的浓度分布 ;用维氏显微硬度计测定其显微硬度 ;用针一盘磨损机测试其耐磨性能。结果表明 ,对Cr1 2MoV材料PSII表面温度效应明显提高试样的表面显微硬度及耐磨性能 ,同时根据实验结果得出了该种材料的等离子体源离子注入的最佳工艺参数。

RAPD分析氮离子注入甜菊种子后的幼苗基因组DNA变异

应用ＲＡＰＤ 技术检测经低能氮离子注入甜菊纯系种子引起的幼苗基因组ＤＮＡ 变异。筛选出ＯＰＪ系列中的１５ 种引物对实验及对照基因组ＤＮＡ 进行了ＰＣＲ 扩增，共获扩增片段１０３ 条，分子量在０．３ － ３ｋｂ 之间，其中５ 种引物ＯＰＪ－ １ ，７ ，９，１１ ，１２ 扩增出差异片段１２ 条。结果表明，低能氮离子注入甜菊种子可引起体内基因组ＤＮＡ 发生突变；ＲＡＰＤ 技术是检测基因组ＤＮＡ 发生诱变的一种简便、有效方法。本文同时探讨了离子强度和Ｔａｇ ＤＮＡ 聚合酶用量对甜菊ＲＡＰＤ 分析结果的影响，以及氮离子注入诱变效应的可能机制。

氮离子注入对仿栗种子当代生理生化性状的影响

研究了不同剂量的氮离子注入仿栗种子对种子内过氧化物酶、过氧化氢酶、超氧化物歧化酶活性以及丙二醛的含量、电解质外渗率的影响。结果表明:离子注入剂量在9×1016~12×1016N+/cm2下过氧化物酶、过氧化氢酶、超氧化物歧化酶的酶活性达到峰值,丙二醛含量和电解质外渗率最低,在一定程度上削弱种子脂质过氧化作用。结果说明一定剂量的氮离子注入能激活合成自由基清除酶的能力,在一定程度上免受自由基侵害。

氮离子注入介导麻黄基因组DNA转化酵母菌

目的以麻黄碱为目标产物,探讨氮离子(N+)注入介导麻黄基因组DNA在酵母菌中的转化。方法通过N+注入介导蓝麻黄基因组DNA分别在酿酒酵母Saccharomyces cerevisiae和异常汉逊酵母Hansenula anomala中随机转化,转化后的酵母菌经BTB指示性辅助筛选、斜面传代和液体培养后,用铜铬盐定性检识和RP-HPLC方法,检测重组酵母菌胞外和胞内麻黄碱的量。结果获得了遗传稳定的以葡萄糖为碳源、NaNO3为氮源生物合成麻黄碱和(或)伪麻黄碱的重组酵母菌9株。液体培养72 h,RP-HPLC测试胞外麻黄碱和伪麻黄碱的最高量分别为18.85和2.88 mg/L;胞内麻黄碱和伪麻黄碱最高量分别为4.29和22.16 mg/g干细胞。结论采用离子注入介导麻黄基因组DNA大分子转化技术,通过适当的筛选方法,可获得易于人工培养的产生麻黄碱等次生代谢产物的微生物工程菌株。

氮离子束注入大麦种子的细胞生物学效应

本文研究了用３０ＫｅｖＮ＋离子束注入大麦干种子后其Ｍ１代的细胞生物学效应。研究结果表明，低剂量的Ｎ＋离子注入对大麦种子的萌发及Ｍ１胚根、胚芽细胞的有丝分裂有明显的促进作用。离子注入均能诱发胚根细胞和胚芽细胞的染色体畸变和核畸变，呈现微核、双核、小核、桥、断片和落后染色体等多种类型。并在２×１０１６Ｎ＋／ｃｍ２－８×１０１６Ｎ＋／ｃｍ２剂量范围内，注入剂量与畸变率之间有显著的正相关，但到１×１０１７Ｎ＋／ｃｍ２后畸变率却反而下降。研究结果还显示胚芽细胞较胚根细胞对氮离子束更为敏感。

氮离子注入甜菊的细胞学效应

用不同能量氮离子注入甜菊干种子，在Ｍ１根尖细胞内可观察到各种可见染色体结构变异及有丝分裂行为异常。随着注入离子的剂量和能量的提高，染色体畸变细胞率呈增加趋势。统计分析显示，离子注入的剂量效应大于能量效应。染色体畸变细胞率与氮离子注入剂量的直线回归关系不显著，但与γ辐照剂量的直线回归关系达极显著，γ射线对甜菊Ｍ１的辐射损伤大于氮离子束。

氮离子注入的拟南芥M1代RAPD分析

对拟南芥种子进行能量为30keV的不同剂量N+离子束诱变,以当代拟南芥幼苗叶片为材料建立基因池,并进行随机引物扩增多态性DNA(RAPD)技术分析。结果表明,每个基因池可扩增出约200条有效条带,不同剂量组变异率随剂量的增加而增大。对经离子注入后的拟南芥发芽率统计显示,发芽率并不随剂量的增加而单调下降。最后初步探讨了不同剂量条件下发芽率和变异率变化趋势不一致的机制。

氮离子注入油菜M_1代的生物学效应

研究了氮离子(N+)注入油菜干种子引发的当代生物学效应。结果表明:N+在3.2×1016—4.6×1016/cm2注量范围内处理不影响油菜种子发芽,以3.9×1016/cm2注量处理可提高种子出苗率和成苗率,适当注量处理可促进苗期株高、叶片数和单株鲜重的增加,对成株期叶片数、茎粗、最大叶片长和宽等生物性状以及一次有效分枝数、全株总角果数和单株产量等经济性状均具有明显的生长刺激效应。同时,离子束处理区表现出广泛的变异,变异株率达到3.2%。

低能氮离子注入和紫外线复合诱变选育高产酿酒酵母

通过离子注入联合紫外线辐射诱变选育高产酿酒酵母菌株,根据存活率及突变率确定离子注入的诱变条件为电荷18 ke V,剂量400×10^(14) cm^(-2),紫外线辐射60 s。在该条件下,诱变获得的菌株正突变率和致死率都最高,诱变效果最好。在该条件下进行研究后获得目标菌株SC-N9015,酒精产量从14.65%提升到15.53%。多次传代实验结果显示遗传性状稳定。研究表明,通过低能氮离子注入和紫外线联合诱变选育高产酒精酵母效果显著。

Ti6Al4V合金氮离子注入层的成分、组织结构及摩擦学性能

介绍了Ti6Al4V合金氮离子注入的背景,比较了离子束离子注入及等离子体基离子注入氮,综述了注入层成分、组织结构、硬度、摩擦系数及磨损性能变化的研究进展,总结了到目前为止得出的规律,探讨了变化的可能机理。并对今后的研究方向作了展望。

氮离子束注入诱变筛选万隆霉素高产菌株的研究

为获得万隆霉素高产菌株,用氮离子束注入万隆霉素产生菌进行诱变处理,并用链霉素抗性筛选法和抑菌圈筛选法进行突变株的筛选。结果表明:通过能量为20keV、剂量为90×2.6×1013N+/cm2的氮离子束注入处理万隆霉素产生菌的分生孢子,筛选出万隆霉素高产菌株WN939,其摇瓶发酵产素水平较出发菌株提高了82.10%。经5代传代培养,其产素水平稳定。

两种气体离子源氮离子注入细菌的诱变效应比较

低能离子注入作为一种新的诱变育种手段已经得到广泛的应用。对考夫曼气体离子源和双潘宁气体离子源氮离子注入凝结芽孢杆菌的效果进行比较。经研究发现,在相同的引出电压下,考夫曼气体离子源注入的菌体到第三代的遗传稳定性要比双潘宁气体离子源注入的菌体高30%,但突变平均幅度要低2%,以此为依据可以根据不同诱变需要选择合适的离子源。

低能氮离子注入西瓜胚芽的存活率的初步研究

以西瓜胚芽为材料 ,研究了低能氮离子注入植物活体组织的存活率和二甲亚砜 (DMSO)预处理对存活率的影响。结果表明 ,真空冰冻对存活率有一定影响 ,离子注入损伤是植物活组织在离子注入时存活率降低的主要原因 ;在能量为 2 5 ke V,总剂量为 3.9× 10 1 6ions/ cm2 ,脉冲剂量为 1.3× 10 1 4 ions/ cm2 的注入参数下 ,1%的 DMSO预处理 2 5～ 35分钟可以降低失水率并大大提高胚芽的存活率。由此讨论了进一步扩大低能离子注入的应用范围 ,以及在果树、花卉和无性繁殖的作物上进行诱变育种或遗传转化的可能性。

拟南芥(Arabidopsis thaliana)氮、碳离子注入诱变效应分析

采用N +、C +离子注入拟南芥 (Arabidopsisthaliana)种子 ,统计了种子的发芽指数 (发芽率和发芽势 ) ;用改良的RAPD技术对N+离子注入种子植株的DNA进行11个引物的随机片段多态性扩增。结果表明 ,合适剂量的N+、C+离子注入可使种子发芽率提高 ,两种离子注入种子的发芽率峰值 (分别为92.3 %和74.4 % )都在5×1014ions/cm2;分析N +离子注入材料发现 ,在1×1013 -1×1016ions/cm2剂量范围内 ,基因组DNA的变异率与发芽指数的变化趋势基本一致 ,变异率峰值 (9.0 % )在1×1015 ions/cm2。结果提示 ,分析低能N+离子诱变效应的最佳注入剂量在1×1014-5×1015 ions/cm2。对N+、C+离子注入的比较发现 ,一定范围内同等剂量C+离子注入的诱变率高于N

氮离子注入对甜菊幼苗生长发育和细胞核的影响

对低能氮离子注入甜菊种子引起的生长发育、细胞核和染色体形态结构的影响进行研究 .结果表明 ,能量为 75Ke V、剂量为 10 14 / cm2的氮离子束注入甜菊种子后 ,种子萌发率下降 ;幼苗期生长迟缓 ;细胞分裂指数下降 ,异常细胞核和染色体畸变增加 ,细胞核膜凹凸不平 ,核仁解聚 ,部分核质凝集并被凹陷的核膜包被成颗粒化小区 ,进而形成微核 ,细胞核的形态建成和细胞分裂受到一定的干扰 .推测这些现象与幼苗期处理种子的早期生长发育迟缓有关 .

氮离子注入对拟南芥的生理影响初步研究

以拟南芥菜为研究对象,对低能氮离子注入对拟南芥干种子的萌发力、苗体生长形态性状的影响及过氧化物同工酶酶活性和酶谱变异情况进行了研究和探讨。结果表明,发芽率-剂量曲线呈"马鞍型"特性;离子注入对拟南芥菜生长有抑制作用,营养器官的损伤率-剂量关系为先降后升的趋势,并且剂量间各性状差异极显著;离子注入后过氧化物同工酶酶活性在一定剂量范围内增强,酶谱的变异体现在谱带强弱的变化而不是谱带增减上,初步探讨了各性状表现与POD酶活变化的关系。

氮离子束注入和钴60伽玛辐射对大豆产量性状和品质的影响

分别以3种剂量的N离子束注入(4×1016,6×1016和8×1016N+·cm-2)和3种剂量的60Co-γ射线辐射(100,150和200 Gy)处理4份大豆干种子,在相同种植条件下对其M6代产量性状和品质进行研究,比较2种处理方法对大豆产量性状及品质的诱变效应。结果表明:与对照相比,新大豆3号4×1016N+·cm-2离子束注入处理单株荚数显著增加,6×1016N+·cm-2离子束注入处理产量极显著增加;合99-756 8×1016N+·cm-2离子束注入处理单株粒数和单株粒重显著减少,6×1016N+·cm-2离子束注入处理百粒重显著减少,100 Gy60Co-γ射线辐射处理蛋白质含量显著降低,100,150和200 Gy60Co-γ射线辐射使脂肪含量显著提高;新大豆8号4×1016和8×1016N+·cm-2离子束注入、100和200 Gy60Co-γ射线辐射处理单株粒重显著减少,4×1016和6×1016N+·cm-2离子束注入及200 Gy60Co-γ射线辐射处理产量极显著或显著增加;N离子束注入和60Co-γ辐射对石大豆2号产量、各产量构成因素及品质的影响差异不显著。因此,诱变育种目标应根据材料的敏感性、诱变方法和剂量综合确定。

低能氮离子注入固态尿嘧啶的初步研究

对 ２５ ｋｅ Ｖ 氮离子束辐照尿嘧啶引起其分子结构的变化进行了研究。通过紫外光谱的分析，得到了离子注入后尿嘧啶的残余紫外吸收曲线。傅里叶红外光谱仪的分析，说明尿嘧啶受到了一定程度的损伤。茚三酮反应的测定证明了辐射后的样品中出现了新的化学基团——氨基。