用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度 ,以及它们的高温抗弯强度 .实验发现 ,由于氮的掺入 ,硅片室温下的机械强度有明显的改善 ,同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用 ;研究还指出 ,硅片表面状态和晶向对室温时机械强度也存在影响 .

微氮硅单晶中的热受主

本文研究了微氮硅单晶在经历不同温度热处理时电阻率的变化,发现在700℃以上退火时,n型微氮硅单晶的电阻率首先上升,随后逐渐下降,保持一稳定值,而p型微氮硅单晶的电阻率变化则相反.实验证明微氮硅单晶在 7 00℃以上退火时,产生了热受主(T A),其浓度可达 2 ×10^(14)个/cm^3,它的产生是氧氮杂质共同作用的结果,可能是一种硅中氮氧复合物.

微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．

电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究

本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。

掺氮直拉硅单晶的研究和应用

掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料,它具有容易消除微缺陷,低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点,这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发,掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受,目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用。

碳杂质对直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响

本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响。电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明:碳杂质显著降低了掺氮直拉硅单晶在650℃退火时所形成的氮氧复合体浅热施主浓度。此外,研究还发现碳杂质使掺氮直拉硅单晶在650℃退火时形成了碳氧复合体和更多的氧沉淀核心,由此消耗了更多的间隙氧原子。这一发现被认为是碳杂质抑制掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的主要原因。

掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展

掺氮直拉硅单晶近年来引起了硅材料产业界和学术界的广泛关注。氧沉淀是直拉硅单晶缺陷工程的重要研究课题。对掺氮直拉硅单晶氧沉淀研究的最新进展进行了综述,主要阐述了氮是如何影响直拉单晶硅中原生氧沉淀、后续热工艺中氧沉淀行为以及氧沉淀的形貌。

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国家自然科学基金部分项目巡礼

我国首次发现超新星 超新星爆发是恒星演化最终阶段的一次最剧烈的爆发过程。超新星爆发将释放1053尔格量级的能量,它的光度达到太阳的几十亿甚至百亿倍,与一个象银河系这样由百亿颗恒星组成的星系有相同的光度。超新星爆发时,不仅光学波段会突然增亮,还有强的中微子、γ射线、X射线和有时有射电辐射产生,是天体活动中最壮观的过程。 超新星的观测研究涉及到恒星起源与演化等当今天体物理的重要前沿领域,并且与元素演化、宇宙线起源、高能天体物理、核物理等密切相关。我国历史上曾有过非常有价值的银河系内超新星（古称“客星”）记录,与目前观测到的超新星遗迹（超新星爆发后形成的天体）相吻合。