GaN_(1-x)P_x薄膜的结构特性研究

用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1 -xPx薄膜 利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1 -xPx 晶体结构的影响 .研究结果表明 :随着P组分比的增加 ,GaN1 -xPx(0 0 0 2 )衍射峰逐渐向小角度移动 ,即晶格常数变大 ;与非掺杂GaN相比 ,GaN1 -xPx 薄膜的拉曼光谱中出现了 4个新的振动模式 ,将它们分别归因于P族团引起的准局部振动模式、Ga—P键振动引起的间隙模 ,以及来自缺陷引起的无序激活散射 .同时 ,随着P组分比的增加 ,A1 (LO)模式的频率向低频方向移动 。