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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
被引量:
2
1
作者
李昱峰
韩培德
+6 位作者
陈振
黎大兵
王占国
刘祥林
陆大成
王晓晖
汪度
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期380-384,T001,共6页
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,...
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。
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关键词
INGAN
量子点
诱导生长
发光特性
微观形貌
氮镓铟化合物
半导体
下载PDF
职称材料
新型材料InGaNAs的生长与应用前景
被引量:
1
2
作者
王勇刚
马骁宇
+1 位作者
韦欣
文芳
《红外》
CAS
2003年第10期17-20,共4页
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。
关键词
InGaNAs
半导体材料
生长特点
晶格匹配
应用前景
砷
氮镓铟化合物
长波长量子阱激光器
长波长垂直腔面发射激光器
半导体可饱和吸收镜
长波长谐振腔增强探测器
下载PDF
职称材料
GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
3
作者
梁晓甘
江德生
+3 位作者
边历峰
潘钟
李联合
吴荣汉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1281-1285,共5页
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发...
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 .
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关键词
GaInNAs/GaAs量子阱
光致发光谱
光调制反射谱
氮
化物
半导体
镓铟
氮
砷
化合物
下载PDF
职称材料
题名
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
被引量:
2
1
作者
李昱峰
韩培德
陈振
黎大兵
王占国
刘祥林
陆大成
王晓晖
汪度
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期380-384,T001,共6页
基金
国家自然科学基金(60086001)
国家重点基础研究专项经费(G20000683)资助项目
文摘
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。
关键词
INGAN
量子点
诱导生长
发光特性
微观形貌
氮镓铟化合物
半导体
Keywords
InGaN
quantum dots
induced growth
micro-morphology
luminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
新型材料InGaNAs的生长与应用前景
被引量:
1
2
作者
王勇刚
马骁宇
韦欣
文芳
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《红外》
CAS
2003年第10期17-20,共4页
文摘
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。
关键词
InGaNAs
半导体材料
生长特点
晶格匹配
应用前景
砷
氮镓铟化合物
长波长量子阱激光器
长波长垂直腔面发射激光器
半导体可饱和吸收镜
长波长谐振腔增强探测器
Keywords
GaNAs, InGaNAs, long wavelength, lattice-match
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
3
作者
梁晓甘
江德生
边历峰
潘钟
李联合
吴荣汉
机构
中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1281-1285,共5页
基金
中国科学院纳米科学与技术 (批准号 :2 9890 2 17)
国家自然科学基金 (批准号 :698760 3 7)资助项目~~
文摘
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 .
关键词
GaInNAs/GaAs量子阱
光致发光谱
光调制反射谱
氮
化物
半导体
镓铟
氮
砷
化合物
Keywords
nitrides
photoluminescence
photoreflectance
quantum wells
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
李昱峰
韩培德
陈振
黎大兵
王占国
刘祥林
陆大成
王晓晖
汪度
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
下载PDF
职称材料
2
新型材料InGaNAs的生长与应用前景
王勇刚
马骁宇
韦欣
文芳
《红外》
CAS
2003
1
下载PDF
职称材料
3
GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
梁晓甘
江德生
边历峰
潘钟
李联合
吴荣汉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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