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酞菁氯化铟的固相合成及光敏性能
被引量:
3
1
作者
谈廷风
王世荣
+1 位作者
白翔
李祥高
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1167-1171,共5页
以尿素、邻苯二甲酸酐、钼酸铵和四水合三氯化铟为原料,乙酸钠为催化剂,采用固相法合成酞菁氯化铟,并用元素分析、UV-Vis、IR和XRD进行了表征.考察了反应物配比、催化剂、反应温度和时间对产率的影响,寻找出最佳制备条件为n(尿素)∶n(...
以尿素、邻苯二甲酸酐、钼酸铵和四水合三氯化铟为原料,乙酸钠为催化剂,采用固相法合成酞菁氯化铟,并用元素分析、UV-Vis、IR和XRD进行了表征.考察了反应物配比、催化剂、反应温度和时间对产率的影响,寻找出最佳制备条件为n(尿素)∶n(邻苯二甲酸酐)∶n(三氯化铟)=14∶4.5∶1,以乙酸钠为催化剂,130℃下恒温0.5 h,在220℃下反应4 h后,用88%(质量分数)浓硫酸提纯.研究了酞菁氯化铟光敏电阻薄膜的光敏性能,结果表明,当用0.2 g酞菁氯化铟和0.6 g PVB制备光敏电阻薄膜时,分散介质丁酮-环己酮的最佳用量为36 mL,其电阻灵敏度保持在1.50×108以上,积分灵敏度保持在30μA/(lx.V)以上.研究结果表明,酞菁氯化铟光敏电阻薄膜具有很好的光敏性能.
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关键词
酞菁
氯化
铟
固相合成
光敏电阻
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职称材料
酞菁氯化铟的溶剂法合成与电泳性能
2
作者
赵谦
王世荣
+2 位作者
谈廷风
白翔
李祥高
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期553-557,共5页
采用1,3-二亚氨基异吲哚啉和无水三氯化铟在高沸点溶剂中反应的方法合成酞菁氯化铟.考察了无水氯化铟的制备方法、反应溶剂、反应物配比和反应时间对产率的影响,得到合成酞菁氯化铟的最佳工艺条件:以邻二氯苯为溶剂,13,-二亚氨基异吲哚...
采用1,3-二亚氨基异吲哚啉和无水三氯化铟在高沸点溶剂中反应的方法合成酞菁氯化铟.考察了无水氯化铟的制备方法、反应溶剂、反应物配比和反应时间对产率的影响,得到合成酞菁氯化铟的最佳工艺条件:以邻二氯苯为溶剂,13,-二亚氨基异吲哚啉与三氯化铟的物质的量之比为3.5∶1,在氮气保护下180,,℃回流5,h得到产物,收率42.9%.用红外吸收光谱、紫外-可见吸收光谱和X射线衍射谱对合成产物进行了表征.将β-型酞菁氯化铟分散在丁酮-环己酮(Vb/Vc=10∶1)中制备成悬浮液,其微粒子的Zeta电位达到-38.2,,mV,并表现出优异的贮存稳定性.制备的电泳显示器件表现了良好的显示效果.
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关键词
酞菁
氯化
铟
13
-二亚氨基异吲哚啉
ZETA电位
电泳显示
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职称材料
ClInPc-(TPD-PVK)光电导体性能的研究
3
作者
胡庆美
黄德本
《感光科学与光化学》
CSCD
1994年第2期115-119,共5页
本文以氯化酞菁铟(ClInPc)为载流子发生层(CGL),四苯基联苯胺(TPD)与聚乙烯咔唑(PVK)复合为载流子传输层(CTL),形成双层结构的功能分离型有机光电导体(P/R),研究了它的静电感光性能.结果表明,C...
本文以氯化酞菁铟(ClInPc)为载流子发生层(CGL),四苯基联苯胺(TPD)与聚乙烯咔唑(PVK)复合为载流子传输层(CTL),形成双层结构的功能分离型有机光电导体(P/R),研究了它的静电感光性能.结果表明,ClInPc/PMMA(30%)与TPD/PVK(1∶1)两者匹配时的P/R具有良好的光电导性能,其电荷接受能力V_(max)≈800V,光电导率△V_t(1s)>70%,暗衰小(<50V/s),残余电位低(30V/s).由真空蒸镀成膜(CGL)所研制的P/R的光电导性能更为优异.
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关键词
光电导体
氯化酞菁铟
TPD
PVK
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职称材料
ClInPc—(PVK—TPA)光电导体性能的研究
4
作者
胡庆美
陈汉清
《复印》
1992年第2期15-16,19,共3页
关键词
氯化酞菁铟
静电摄影
光电导性
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职称材料
题名
酞菁氯化铟的固相合成及光敏性能
被引量:
3
1
作者
谈廷风
王世荣
白翔
李祥高
机构
天津大学化工学院
天津城市建设学院材料科学与工程系
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1167-1171,共5页
基金
国家"八六三"计划项目(批准号:2008AA03A315)
天津市应用基础及前沿技术研究计划项目(批准号:08JCZDJC16900)资助
文摘
以尿素、邻苯二甲酸酐、钼酸铵和四水合三氯化铟为原料,乙酸钠为催化剂,采用固相法合成酞菁氯化铟,并用元素分析、UV-Vis、IR和XRD进行了表征.考察了反应物配比、催化剂、反应温度和时间对产率的影响,寻找出最佳制备条件为n(尿素)∶n(邻苯二甲酸酐)∶n(三氯化铟)=14∶4.5∶1,以乙酸钠为催化剂,130℃下恒温0.5 h,在220℃下反应4 h后,用88%(质量分数)浓硫酸提纯.研究了酞菁氯化铟光敏电阻薄膜的光敏性能,结果表明,当用0.2 g酞菁氯化铟和0.6 g PVB制备光敏电阻薄膜时,分散介质丁酮-环己酮的最佳用量为36 mL,其电阻灵敏度保持在1.50×108以上,积分灵敏度保持在30μA/(lx.V)以上.研究结果表明,酞菁氯化铟光敏电阻薄膜具有很好的光敏性能.
关键词
酞菁
氯化
铟
固相合成
光敏电阻
Keywords
Chloroindium phthalocyanine
Solid synthesis
Photosensitive resistance
分类号
O625.632 [理学—有机化学]
下载PDF
职称材料
题名
酞菁氯化铟的溶剂法合成与电泳性能
2
作者
赵谦
王世荣
谈廷风
白翔
李祥高
机构
天津大学化工学院
天津城市建设学院材料科学与工程系
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期553-557,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03A315)
天津市自然科学基金重点资助项目(08JCZDJC16900)
文摘
采用1,3-二亚氨基异吲哚啉和无水三氯化铟在高沸点溶剂中反应的方法合成酞菁氯化铟.考察了无水氯化铟的制备方法、反应溶剂、反应物配比和反应时间对产率的影响,得到合成酞菁氯化铟的最佳工艺条件:以邻二氯苯为溶剂,13,-二亚氨基异吲哚啉与三氯化铟的物质的量之比为3.5∶1,在氮气保护下180,,℃回流5,h得到产物,收率42.9%.用红外吸收光谱、紫外-可见吸收光谱和X射线衍射谱对合成产物进行了表征.将β-型酞菁氯化铟分散在丁酮-环己酮(Vb/Vc=10∶1)中制备成悬浮液,其微粒子的Zeta电位达到-38.2,,mV,并表现出优异的贮存稳定性.制备的电泳显示器件表现了良好的显示效果.
关键词
酞菁
氯化
铟
13
-二亚氨基异吲哚啉
ZETA电位
电泳显示
Keywords
chloroindium phthalocyanine
13
-diiminoisoindoline
Zeta potential
electrophoretic display
分类号
O625.632 [理学—有机化学]
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职称材料
题名
ClInPc-(TPD-PVK)光电导体性能的研究
3
作者
胡庆美
黄德本
机构
浙江大学化学系
出处
《感光科学与光化学》
CSCD
1994年第2期115-119,共5页
文摘
本文以氯化酞菁铟(ClInPc)为载流子发生层(CGL),四苯基联苯胺(TPD)与聚乙烯咔唑(PVK)复合为载流子传输层(CTL),形成双层结构的功能分离型有机光电导体(P/R),研究了它的静电感光性能.结果表明,ClInPc/PMMA(30%)与TPD/PVK(1∶1)两者匹配时的P/R具有良好的光电导性能,其电荷接受能力V_(max)≈800V,光电导率△V_t(1s)>70%,暗衰小(<50V/s),残余电位低(30V/s).由真空蒸镀成膜(CGL)所研制的P/R的光电导性能更为优异.
关键词
光电导体
氯化酞菁铟
TPD
PVK
Keywords
chloroindium phthalocyanine,tetraphenylbenzidine, organic electro photoreceptor, electrophotography electro photoconductivity To whom correspondence should be addressed.
分类号
O614.372 [理学—无机化学]
下载PDF
职称材料
题名
ClInPc—(PVK—TPA)光电导体性能的研究
4
作者
胡庆美
陈汉清
出处
《复印》
1992年第2期15-16,19,共3页
关键词
氯化酞菁铟
静电摄影
光电导性
分类号
TB852.25 [一般工业技术—摄影技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
酞菁氯化铟的固相合成及光敏性能
谈廷风
王世荣
白翔
李祥高
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
下载PDF
职称材料
2
酞菁氯化铟的溶剂法合成与电泳性能
赵谦
王世荣
谈廷风
白翔
李祥高
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
3
ClInPc-(TPD-PVK)光电导体性能的研究
胡庆美
黄德本
《感光科学与光化学》
CSCD
1994
0
下载PDF
职称材料
4
ClInPc—(PVK—TPA)光电导体性能的研究
胡庆美
陈汉清
《复印》
1992
0
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职称材料
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