甲醇在有序化氰桥混配物修饰铂电极上的电催化氧化

用卵磷脂-AOT-曲通X-100体系溶致液晶软模板制备了有序化氰桥混配物膜修饰的铂电极.通过SEM表征了修饰电极的表面形貌,采用循环伏安和计时电流法研究了甲醇在该修饰电极上的电催化氧化行为.结果表明,用氢气泡脱除软模板法可使修饰的氰桥混配物高度有序化;在此修饰电极上,甲醇的电催化氧化峰电流密度与未有序化同类物修饰的铂电极相比增加了约50%,且对甲醇的电催化氧化过程具有更好、更稳定的协同催化作用.

CuInSe_2/氰桥混配物复合修饰光电极的制备及其光电性质

利用电沉积法在氰桥混配物预修饰的玻璃碳电极上再沉积CuInSe2半导体材料,制备了一种复合型修饰光电极(Eu-Fe-Mo/CuInSe2)。以含Cu2+、In3+、SeO23-及柠檬酸钠的酸性水溶液为电镀液,通过优化寻找到电镀液中最佳的Cu∶In∶Se料液比例,用恒电位电沉积法可以制备出具有良好光电效应的复合型修饰光电极。用SEM、EDS技术对复合修饰光电极的表面形貌及其修饰材料的元素组成进行了表征;以60 W的普通日光型白炽灯为光源,采用开路电压和计时安培法研究了该复合修饰光电极的光电性质。测得该光电极的响应光电压大于30 mV,响应光电流密度大于8.9×10-6A/cm2。实验结果表明,该复合修饰光电极呈现典型p型半导体的光电性质。

甲酸在Nd-Fe-WO_4^(2-)氰桥混配物修饰铂电极上的电催化氧化

首次用电沉积法制备了Nd-Fe-WO42-氰桥混配物修饰铂电极(Nd-Fe-WO42-/Pt),并通过SEM和XRD技术分别表征了该修饰电极的表面形貌和修饰物的晶相结构.采用循环伏安法和计时电流法研究了甲酸在该修饰电极上的电氧化行为,实验发现甲酸在修饰电极上的电催化氧化电流密度与裸铂电极相比增加了10余倍,而且CV回扫阳极电位边界对属于吸附中间体的反扫峰形状有很大影响.此外,还研究了支持电解质中H+和SO24-浓度变化对甲酸氧化过程伏安特性的影响.结果表明:甲酸电催化主氧化峰的电位随H+浓度的增加而正向移动,随SO42-浓度增加而负向移动;当这两种离子共存时,H+的影响起主导作用.这表明甲酸在该修饰电极上电催化氧化反应的速率控制步骤是脱质子过程,而且SO42-/HSO-4在电极表面的吸附有利于氧化反应正向进行.以上结论为解释甲酸的电催化氧化机理提供了新的实验依据.同时,计时电流曲线和电极稳定性实验均表明该修饰电极对甲酸的电催化氧化过程具有良好的催化活性和抗毒化能力.