水热合成纳米V_2O_5·nH_2O及其负微分电阻器件

采用水热法以偏钒酸铵和硝酸制备水合五氧化二钒(V_2O_5·nH_2O)纳米带,采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射分析仪(XRD)及拉曼光谱分析仪(Raman Spectra)对产物进行表征,采用半导体特性分析仪测试以产物为沟道的场效应器件性能。结果表明:制得的V_2O_5·nH_2O纳米带宽100~150nm,厚约20nm,含水量n在0.5~1之间,具有类晶结构;器件具有N型负微分电阻(N-NDR)效应,与V_2O_5·nH_2O的双载流子导电及Poole-Frenkel发射相关。栅压为0~9V时,开关电压随栅压增大而升高,峰谷电流比变化小,期间,栅压为1V时电压跨度最大为0.61V。