直拉法生长锗单晶的水平放肩工艺实践

详细介绍了水平放肩工艺措施的技术特点,及其在锗单晶生产中的应用效果。并与常规的慢拉放肩工艺进行了比较。

红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长

红外热成像远距离侦测技术的发展 ,需要制备大直径的红外锗单晶光学材料 .减少机械及热扰动是制备大直径的红外锗单晶光学材料的必要条件 ,通过静态热场的配置和采用水平放肩 ,大晶埚径比 (0 .73～ 0 .92 )生长工艺 .最大限度发挥了现有设备能力 ,实现了红外锗晶体生长周期缩、成晶率提高。