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直拉法生长锗单晶的水平放肩工艺实践 被引量:2
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作者 陈燕 《云南冶金》 2002年第6期36-38,共3页
详细介绍了水平放肩工艺措施的技术特点,及其在锗单晶生产中的应用效果。并与常规的慢拉放肩工艺进行了比较。
关键词 水平放肩 慢拉 锗单晶 生产运用
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红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长 被引量:4
2
作者 张志坚 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2002年第S1期78-82,共2页
红外热成像远距离侦测技术的发展 ,需要制备大直径的红外锗单晶光学材料 .减少机械及热扰动是制备大直径的红外锗单晶光学材料的必要条件 ,通过静态热场的配置和采用水平放肩 ,大晶埚径比 (0 .73~ 0 .92 )生长工艺 .最大限度发挥了现... 红外热成像远距离侦测技术的发展 ,需要制备大直径的红外锗单晶光学材料 .减少机械及热扰动是制备大直径的红外锗单晶光学材料的必要条件 ,通过静态热场的配置和采用水平放肩 ,大晶埚径比 (0 .73~ 0 .92 )生长工艺 .最大限度发挥了现有设备能力 ,实现了红外锗晶体生长周期缩、成晶率提高。 展开更多
关键词 大直径 红外 锗单晶体 水平放肩生长
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