水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制

讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

光电基础材料缺陷的研究

本文讨论了如何在光电基础材料(水平砷化镓单晶)生长过程中进行缺陷(位错密度)控制,通过控制熔区的长度,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖。采取以上措施可以在一定程度上降低位错密度。