电极Al层加厚对水平结构LED芯片性能的影响

随着水平结构LED市场的竞争越来越残酷,提高产品性能和质量成为各芯片大厂的当务之急。本文在水平结构LED上制备了4种不同Al层厚度的Cr/Al/Cr/Au结构电极,通过比对其电压、亮度和可靠性发现:2500?-7500?范围内,Al层厚度每增大1000?,LED的电压会降低约0.01V,且亮度和可靠性不变;当Al层厚度增大到10000?以上时,Al层侧面出现无Au覆盖缺口,电极Al层容易被氧化、腐蚀,周围出现黑色鼓包异常,对LED的电压、亮度和可靠性造成毁灭性影响。

GaN基水平结构LED p-n电极间距的优化

本文提出了一种优化LED电极结构的新思路,通过改变GaN基水平结构LED的p-n电极间距,研究了LED在正常驱动电流和高电流驱动(over drive)时的电流扩展能力和出光效率的变化幅度,找到了特定尺寸芯片的最佳p-n电极间距。通过近场,分析了该电极间距下电流扩展状况;最后,将该电极间距的芯片封装成白光光源,进而研究了光源的光效提升效果。