期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
H2/O2燃烧掺HCl氧化技术
1
作者 蔡木本 《微电子技术》 1993年第2期54-59,共6页
关键词 氧化硅膜 掺HCl 制备 水汽氧化
下载PDF
关于硅基片硬质掩膜形成的可行性研究
2
作者 新梅 《大连民族学院学报》 CAS 2001年第3期7-9,共3页
通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法,即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究,证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性.
关键词 硅基片 硬质掩膜 可行性 氧化工艺 干氧氧化 水汽氧化 热生长二氧化硅法 半导体工艺
下载PDF
原位XRD反应装置下H2O对Fe5C2的物相及F-T反应性能影响的研究 被引量:4
3
作者 郭天雨 刘粟侥 +4 位作者 青明 冯景丽 吕振刚 王洪 杨勇 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期75-82,I0005,共9页
将原位XRD反应装置与在线气相色谱技术结合,研究了不同H 2O含量(4.36%、1.68%、0.56%)条件下单一相Fe 5C 2的氧化速率,并考察了不同Fe 5C 2氧化程度(0、25%、55%、68%)和氧化次数对其费托合成(F-T)反应性能的影响。研究结果表明,Fe 5C ... 将原位XRD反应装置与在线气相色谱技术结合,研究了不同H 2O含量(4.36%、1.68%、0.56%)条件下单一相Fe 5C 2的氧化速率,并考察了不同Fe 5C 2氧化程度(0、25%、55%、68%)和氧化次数对其费托合成(F-T)反应性能的影响。研究结果表明,Fe 5C 2物相的氧化速率随H 2O含量的提高而逐渐增加,同时H 2O氧化使Fe 5C 2颗粒粒径减小,暴露出更多活性位点,造成F-T反应活性提高,且氧化程度越大,活性提高越明显;随着氧化次数的增加,F-T反应活性逐渐提高,但CH 4选择性增加,C 5+选择性逐渐降低。 展开更多
关键词 Fe 5C 2 水汽氧化 原位XRD 费托合成
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部