原子层沉积设备控制系统设计

以工控机与数字量输入输出板卡为基础,设计原子层沉积设备控制系统。采用工控机串行通信端口实现真空计、流量计、温度计等数据采集与控制。在N型单晶硅基底表面氧化铝薄膜生长测试中,生长300周期氧化铝薄膜平均厚度为33.84 nm,非均匀性为0.36%,生长速率1.13A/cycle,达到氧化铝工艺标准。实验结果表明设备运行稳定可靠,满足实际工艺需要。

大面积EACVD金刚石沉积设备的研究

详细介绍了EACVD法沉积大面积金刚石膜的设备的原理和设计,设备包括机械系统和电气系统。设备的运行情况表明,该设备可以用于沉积高质量的大面积金刚石膜,沉积的金刚石厚膜直径达Φ200mm,涂层面积达(330×330)mm2,膜沉积速率为(4～20)μm/h。

炭/炭复合材料化学气相沉积设备研究

炭/炭复合材料是国家航空航天的关键材料,制备高性能炭/炭复合材料的关键是化学气相沉积设备与技术。我国在炭/炭复合材料的化学气相沉积工艺和制备研究上已取得了较大的进展,但与美、俄、法等发达国家相比还存在较大的差距,特别是在大尺寸、高要求炭/炭复合材料的沉积装备上,还存在一定的差距。一方面,设备的工作原理和总体结构基本满足工艺要求;另一方面,设备的可靠性差、稳定性不够。

专利名称：有机发光组件的沉积设备

本实用新型涉及一种有机发光组件（organic light emitting device；OLED）的沉积设备，该设备具有一基板传输系统以及至少一腔体，其特征在于该基板传输系统为一圆形转盘状，该腔体以一特定的顺序围绕在该基板传输系统的周围，利用该基板传输系统依一圆周方向转动，传送至少一基板至该腔体内进行沉积，以形成至少一镀膜于该基板之上，以制作至少一有机发光组件。

沈阳拓荆科技研发化学气相沉积设备CVD

作为国内领先的CVD设备供应商，拓荆由中国科学院所属公司和一批海外归国的技术专家于2010年共同创立。公司主要致力于研发生产创新、先进的化学气相沉积设备（CVD），帮助全球的半导体制造商生产集成电路器件，推动消费类和工业电子产品的发展。拓荆的PECVD设备己在中国两家客户生产线上通过量产验证，并接到了重复订单。

化学气相沉积设备

一种用于在基质的整个范围内气相沉积均匀薄膜的化学气相沉积设备。所述化学设备气相沉积设备包括一个与外部隔绝并保持真空的反应室；一个旋转地安装于所应室内并放有至少一片基质的基座；和一个注射器，其包括独立形成的第一和第二气体通道，以及在各自入口处连接各自气体通道的用于将各自的第一和第二气体注射到基座上的第一和第二气体注射管，所述注射器独立注射不同的气体。

京东方10．5代TFT—LCD线已订购沉积设备

2016年11月16日，应用材料公司宣布，其薄膜沉积设备已被京东方选中，用于京东方10.5代TFT—LCD生产线。京东方订购多台CVD和PVD设备，使用的玻璃基板可以切割6块75英寸的液晶电视面板。

柔性SDM系统的设备研究

基于柔性形状沉积制造(Shape Deposition Manufacturing,SDM)系统中各工序的功能和特性,结合现有的设备及技术,深入探讨了该系统中主要工序的设备,给出了相应的设备形式及结构,并分析了它们的工作过程及特点。此外,对这些设备进行了适应性改造,使其适用于柔性SDM系统。

多层喷射沉积板坯设备的优化设计

将原始多层喷射沉积板坯设备改为由计算机控制、步进电机驱动、钢丝卷筒结构传动、介绍了该设备的设计思路。实际生产应用表明 ,优化后的设备操作简单平稳、工作环境良好 ,制备出的板坯形貌平整、厚薄均匀。

美国SP3公司为赫瑞瓦特大学安装先进的金刚石沉积设备化学气相沉积金刚石应用新进展

美国SP3金刚石技术公司（以下简称SP3公司）是一家全球领先的金刚石薄膜产品、生长设备以及服务供应商。在不久前销售出一套先进的650型热丝法CVD金刚石沉积设备之后，

美国SP3公司为赫瑞瓦特大学安装先进的金刚石沉积设备

美国SP3金刚石技术公司（以下简称SP3公司）是一家全球领先的金刚石薄膜产品、生长设备以及服务供应商。在不久前销售出一套先进的650型热丝法CVD金刚石沉积设备之后，SP3公司宣布，他们已经将该套设备安装到位于苏格兰爱丁堡的赫瑞瓦特大学。作为该大学研究中的一个组成部分，本设备正在被用来研发一项可承受核聚变反应所产生巨大热量的技术。赫瑞瓦特大学在国际热核聚变实验堆（ITER）计划中扮演重要角色。

SP3公司新近推出双反应釜化学气相沉积设备

美国SP3公司近期推出新型热丝化学气相沉积设备——Model665。这一新型双反应釜设备可一次性容纳18片直径为100毫米的基体，这意味着其沉积面积较其早期的单反应釜设备提升了一倍。与早期产品相比，Model665在保证原有CVD金刚石生长质量、沉积速率以及工艺一致性的基础上加倍输出产能，因此其购置成本得以显著降低。

制备双面大面积BDD电极的HFCVD设备流场仿真与结构设计

用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备双面大面积掺硼金刚石(BDD)电极时,沉积系统的气体流场均匀性对薄膜质量均匀性有着重要影响。针对大面积BDD电极制备的设备流场问题,采用仿真分析,研究了相关结构与流场的关系。通过设计均匀分散的进出气口以及在基板四周配置宽度为20 mm的减速板,可以有效消除横向流速差和边缘流速峰值,与结构改进之前相比能显著提高流场均匀性,高低流速差值从0.04 m/s降低到0.005 m/s。研究结果为薄膜的均匀制备提供了必要条件。

原子层沉积技术发展现状

复杂的非平面结构基板形貌对传统的薄膜沉积技术产生了极大的挑战,不同类型的集成电路器件需要不同的生产技术,同时也对薄膜材料提出了不同的要求。为了突破现有材料的性能限制就要求开发具有更高性能的材料。原子层沉积(ALD)是一种可足以应对这些挑战的独特技术,它所沉积的薄膜具有极佳的均匀性、台阶覆盖率和(对薄膜图形的)保形性。介绍了原子层沉积技术原理、新一代逻辑组件所面临的课题、原子气相沉积技术AVD及原子层沉积设备现状。

以八甲基环四硅氧烷为原料生产预制棒的OVD设备及工艺研究

随着各大光纤预制棒厂家产能的不断增加,市场竞争逐渐激烈,如何进一步降低光纤预制棒的制造成本,成为各大厂家最为紧迫的议题。此外,国家的环保政策逐渐收紧,绿色生产已是大势所趋。因此,开发低成本、环保型原材料应用于光纤预制棒的生产制造,已成为了当前研发的热点。本课题提出了采用八甲基环四硅氧烷(简称D4)取代SiCl_(4)为原材料生产光纤预制棒的技术路线,通过对蒸发系统、OVD设备的研发,疏松体粉末棒沉积工艺研发等,批量使用D4取代SiCl_(4)应用于光纤预制棒的制造。

我国高端薄膜太阳能电池关键设备下线

近日，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在上海理想能源设备公司（以下简称理想能源）成功下线，打破了高端薄膜太阳能电池设备一直被国外厂商垄断的局面，并有望大幅降低太阳能发电成本。

一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积方法及装置

本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤:在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱,电子在捕集阱的约束下,在衬底上方固定区域作封闭的曲线运动,电子在运动过程中碰撞反应气体碰撞生成前驱反应基团和石墨组织抑制基团,从而提高反应基团浓度,实现金刚石薄膜沉积速率的提高。使用该方法的反应腔装置由微波源、螺钉调配器、定向耦合器、同轴天线、波导装置、调节活塞、谐振腔、石英罩、磁场发生装置等组成。本发明优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积速率,工艺和装置简单,便于实施。

国产LED芯片生产关键设备在沪成功下线

近日，中国国产的代表国际尖端水平的高亮度LED芯片生产关键设备MOCVD（金属有机化学气相沉积设备）在正泰集团上海张江理想能源设备有限公司（以下简称理想能源）成功下线。