等离子体浸没离子注入技术用于沟槽掺杂的保角注入

利用等离子体浸没离子注入(PⅢ)的束发散角适中这一优点,我们在高深宽比的Si沟槽中进行了硼的保角掺杂。结染色后用扫描电镜(SEM)观察了深宽比达6:1的沟槽侧壁和底部的均匀掺杂P^+层。 为了试验这种保角掺杂技术的极限,用类似的PⅢ条件对用Si片制作的深宽比特别高的肉眼可见的沟槽模型(宽0.5mm,深12.5mm)进行注入,快速热退火后,用四探针法测定了沿沟槽顶部和侧壁的方块电阻。沟槽侧壁的平均方块电阻是顶部方块电阻的二倍左右。侧壁方块电阻与平均值相比的偏差为±60％。