深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法

在功率金属氧化物半导体器件生产中,有些为了达到特殊的器件性能,采用深沟槽工艺,其沟槽深度可达几十微米,该类产品在关键的深沟槽刻蚀中,晶片边缘经常会有硅针缺陷产生,该缺陷在后续湿法清洗过程中,会成为颗粒的主要来源,影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法,一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺,另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺,两种方法旨在将晶片周边保护起来,在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤,解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。

深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺

研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件 Medici和 Davinci分析了 STI结构的隔离性能以及沟槽隔离 MOSFET的

碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展

第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOSFET结构设计、沟槽刻蚀工艺和沟槽栅氧工艺等核心问题的研究进展与技术挑战,并对未来新型SiC沟槽栅MOSFET技术进行了展望。

基于时程分析的沟槽式卡箍消防管道系统抗震性能研究

消防管道系统需要具备良好的抗震性能,在建筑设计中需要准确对其抗震性能进行分析。选取了常熟经济技术开发区城市艺体中心工程为案例,采用时程分析法对该工程采用的沟槽式卡箍消防管道系统抗震性能进行了分析。结果表明,在输入的埃尔森特罗地震波、塔夫特地震波、人工模拟合成地震波下,时程分析结果的最大位移值分别为0.148m、0.088m、0.113m,最大加速度分别为0.157m/s2、0.124m/s2、0.141m/s2,与抗震实验结果间的实际差值均比较小,最大误差未超过12%。时程分析模拟结果表明消防管道系统具备良好的抗震性能,可满足建筑工程安装施工要求。

硅基沟槽功率器件漏电检测及异常分析

为实现硅基沟槽功率器件的快速异常处理,采用了EMMI/FIB-SEM测试方法快速检测沟槽势垒肖特基二极管电性及结构失效,阐述了多晶硅淀积过程中异常导致的漏电分析过程及处理方法。

硅基低压MOSFET器件漏电失效分析

硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域,MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法,该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜层结构失效。本文结合沟槽MOSFET的制备流程,阐明了由于多晶硅淀积工艺异常及过量刻蚀所导致的管芯边缘区域漏电失效并分析了其中原因,列举了改善及预防措施细则,为进一步优化刻蚀沉积设备提供了工艺依据。