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4H-SiC沟槽结势垒二极管研制
1
作者
汤益丹
董升旭
+2 位作者
杨成樾
郭心宇
白云
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2018年第10期22-26,38,共6页
优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过...
优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过Silvaco二维仿真软件对主结处的沟槽结构进行优化设计,其优化结构仿真击穿电压高达1843V。并实际制作了此优化结构TJBS,结果表明其反向击穿特性优于传统沟槽结构。
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关键词
4H-SIC
沟槽结势垒二极管
主
结
耐压特性
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC沟槽结势垒二极管研制
1
作者
汤益丹
董升旭
杨成樾
郭心宇
白云
机构
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心
中国科学院大学
出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2018年第10期22-26,38,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0100601)
文摘
优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过Silvaco二维仿真软件对主结处的沟槽结构进行优化设计,其优化结构仿真击穿电压高达1843V。并实际制作了此优化结构TJBS,结果表明其反向击穿特性优于传统沟槽结构。
关键词
4H-SIC
沟槽结势垒二极管
主
结
耐压特性
Keywords
SiC
TJBS
main junction
reverse characteristic
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC沟槽结势垒二极管研制
汤益丹
董升旭
杨成樾
郭心宇
白云
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2018
0
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