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沟槽阻挡型阳极结构门极换流晶闸管特性研究
1
作者
张如亮
高勇
黄卫斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期531-535,共5页
引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管。新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层对阳极有效面积的影响。模拟结果...
引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管。新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层对阳极有效面积的影响。模拟结果表明,新结构器件实现了注入效率控制功能,增大了有效阳极接触面积并降低了通态压降;其沟槽宽度可调节注入效率和关断特性。
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关键词
电力半导体
门极换流晶闸管
沟槽阻挡结构
注入效率
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职称材料
题名
沟槽阻挡型阳极结构门极换流晶闸管特性研究
1
作者
张如亮
高勇
黄卫斌
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期531-535,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50877066/51077110)
西安理工大学校创新基金资助课题
文摘
引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管。新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层对阳极有效面积的影响。模拟结果表明,新结构器件实现了注入效率控制功能,增大了有效阳极接触面积并降低了通态压降;其沟槽宽度可调节注入效率和关断特性。
关键词
电力半导体
门极换流晶闸管
沟槽阻挡结构
注入效率
Keywords
power semiconductor
gate commutated thyristor
trench stop structure
injec-tion efficiency
分类号
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟槽阻挡型阳极结构门极换流晶闸管特性研究
张如亮
高勇
黄卫斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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