沟道型弃渣场防洪排水方案研究——以磐安抽水蓄能电站下库弃渣场为例

磐安抽水蓄能电站下库弃渣场为沟道型弃渣场,规划堆渣量约231万m3,最大堆渣高度90 m,所在沟道集水面积和洪峰流量均较大,防洪排水布置复杂;因此拟定了“排水明渠+截水沟”和“排水箱涵+截水沟”2种防洪排水方案。从工程布置的合理性、施工难易度、经济性、运行维护和管理的便利性等方面综合分析,推荐采用“排水箱涵+截水沟”方案;该方案符合沟道型弃渣场的特点,可较好地解决渣场的排水问题。图5幅。

沟道型渣场防护措施设计——以四川某灌区工程为例

沟道型、坡地型、临河型、平地型和库区型是规范规定的五种渣场类型。受限于“三区三线”管控要求和地形条件、渣场容量限制,沟道型渣场成为生产建设项目中常见的一种渣场类型。依据规范要求,总结沟道型渣场防护措施布设要求,厘清沟道洪水排导工程和坡面汇水排泄工程不同的设计标准,并以四川某灌区工程沟道型弃渣场为例提供渣场防护措施设计案例,为同类工程弃渣场的规划设计提供经验对比和设计参考。

某水利枢纽工程沟道型弃渣场选址及防护方案研究

随着我国建成水利水电工程弃渣场现状情况跟踪调查工作的深入,以及在建水利水电工程弃渣场稳定安全评估工作的开展,对弃渣场选址合规性、弃渣场防护安全等提出了更高的要求,尤其是针对沟道型弃渣场,需要重点考虑施工及运行期间沟道上游及周边洪水的影响。文章以黄河流域某水利枢纽工程沟道型弃渣场为例,分析论证了弃渣场选址合理性,并以2#弃渣场为例,有针对性地采取了拦挡、防洪排导、斜坡防护等防护措施,解决了弃渣场选址困难和防护措施布设难度大的问题,也为水库工程安全运行提供了保障。

沟道型弃渣场截排水设计方法

本文以新建叙永至毕节铁路、成昆铁路复线弃渣场设计施工为工程依托,采用理论分析与工程实践相结合的方法,对沟道型弃渣场的排水设计方法进行了研究分析。根据弃渣场过水能力和汇水流量大小,提出了3种弃渣场排水设计方法,分别为渣顶水沟+截水天沟、双截水沟和引水洞+两侧天沟排水。排水设计方法的核心理念是通过渣顶水沟、排水沟或引水洞引排主沟大流量汇水,再通过截水天沟引排坡面汇水,以有效保证弃渣场排水系统的有效性,降低流水对弃渣场的水稳破坏,保证弃渣场的安全稳定。

沟道型滑坡-碎屑流运动距离经验预测模型研究

沟道型滑坡-碎屑流具有隐蔽性强、危险性高、力学机理复杂的特点,研究其运动距离预测模型具有重要的理论意义和实践意义。本文基于遥感GIS技术,结合野外调查,获取了汶川地震触发的38个沟道型滑坡-碎屑流的基础数据。通过相关性分析确定沟道型滑坡-碎屑流最大水平运动距离L的影响因素从大到小依次是滑坡体积V、最大垂直运动距离H、滑源区高差Hs、沟道段坡度β。采用逐步回归方法建立了滑坡-碎屑流最大水平运动距离L的最优多元回归模型,检验结果表明模型具有较高精度。将最优多元回归模型与国际上应用较多的滑坡运动距离和泥石流运动距离预测模型进行对比,表明考虑滑坡体积、地形落差和沟道段坡度的运动距离预测指标体系,具有最高的拟合优度和较好的物理含义,可为沟谷山区滑坡-碎屑流危险性评价提供参考依据。

强震区典型窄陡沟道型泥石流发育特征

针对汶川强震区5条典型窄陡沟道型泥石流进行实地勘察。通过室内颗分试验、激光衍射粒度分析试验、X射线衍射试验,分析了强震区窄陡沟道型泥石流的基本发育特征、堆积物颗粒级配和黏土矿物定量组成。结果表明:①强震区窄陡沟道型泥石流典型发育特征除了地形地貌上的“窄”和“陡”外,震后松散物源量中崩滑物源和沟道堆积物源显著增多,动储量比例增大,造成强震区窄陡沟道型泥石流危险性显著提高;②强震区窄陡沟道型泥石流堆积物固体颗粒级配分布范围较广,连续性较好。级配曲线不均匀系数均大于5,曲率系数在0.95~3,无缺失粒组;粒径小于0.075 mm的粉粒含量均在0.5%以下,粒径小于0.005 mm黏粒含量均在0.11%以下,不同沟道间差别较小;③强震区窄陡沟道型泥石流堆积物黏土矿物主要由伊利石、绿泥石和伊蒙混层3种黏土矿物组成,各自含量平均值分别为45.6%、38.8%、15.6%。伊利石和绿泥石总含量均超过75%,伊蒙混层含量均在25%以下。开展汶川强震区的典型窄沟型泥石流发育特征分析,对于地质灾害泥石流风险评估、监测预警和防控具有重要意义。

沟道型弃渣场排水方案研究——以白马航电枢纽螃蟹溪弃渣场为例

水利水电工程施工过程中将产生大量弃渣,受工程区地形条件、运距、工程投资的限制,同时考虑避免弃渣对周边设施等可能带来的巨大压力,施工中往往将弃渣场布置于周边沟道内。西南山区降雨量大且集中,若沟道排水不当,将会对沟道内弃渣造成冲刷,发生垮塌或形成泥石流,威胁下游敏感点安全。因此,合理有效的排水方案是渣场防护的关键。以白马航电枢纽螃蟹溪弃渣场为例,给出了沟道型弃渣场的排水设计方案,可供类似工程参考。

水电工程沟道型弃渣场水土保持措施设计探讨

水电工程沟道型弃渣场的水土保持措施设计是各种类型弃渣场中最为复杂的,通过对比多个水电站工程沟道型弃渣场水土保持措施设计,分析各弃渣场水土保持措施设计的差异,总结不同水土保持措施适用条件,为今后沟道型弃渣场的水土保持措施设计总结经验。

Civil 3D在沟道型渣场三维建模方法的应用

Civil 3D不仅囊括CAD的所有功能,还兼顾三维建模功能。文章以甘肃省引洮供水二期工程弃渣场设计为例,运用Auto CAD Civil 3D软件的三维设计功能,提出了弃渣场三维建模方法,总结了该软件在弃渣场平面建模的经验,为沟道型渣场三维建模设计提供参考和借鉴。

沟道型弃渣场排水设施设计

排水设施是沟道型弃渣场水土流失综合防治的重要设施之一,可保障降水和沟道上游来水安全排泄,对弃渣场安全稳定具有重要意义。本设计以垣曲东南庄至岭沟道路工程弃渣场为例,对弃渣场排水设施的具体设计方案进行了阐述,包括计标准的确定、排水设施设的布设、断面尺寸的计算及设计复核验证等,较好地解决了弃渣场的排水问题,供类似工程进行参考。

中型水库工程沟道型截洪式弃渣场水土保持措施设计——以甘肃省灵台县达溪河新集水库工程为例

以新集水库库内沟道型弃渣场为例,针对沟道型截洪式弃渣的堆放特点、安全稳定要求及水土保持总体防治要求,提出弃渣场一侧建拦渣堤、一侧拓宽行洪、渣顶、马道、坡面建截排水沟,渣面土地整治后采取绿化措施,以形成综合的水土保持防护体系。

采用绝缘型封装的沟道型功率MOSFET在低压车用驱动电路中的应用

本文介绍了功率半导体器件的一个新家族,即绝缘型封装的低压沟道型MOSFET:对MOSFET和封装技术做了一个简单介绍。由此可以衍生出几种器件的功率等级和特性。另外对这些新器件的典型运用作了一个介绍:如用在作为汽车辅助驱动电路的变换器中及用电池供电的运输工具中。

毫米波沟道梯型慢波结构行波管的线性理论

在电子通道内引入一薄层空心电子注,对沟道梯型慢波结构行波管进行了线性理论研究,推导出了沟道梯型结构行波管的工作色散方程,计算了沟道梯型行波管的小信号增益和工作相速。计算结果表明:沟道梯型结构行波管每周期的增益高,带宽窄;当沟宽度由零增加到环内径的2倍时,增益减小量不足1%,这表明沟宽度对增益的影响不大;当脊高度增大10%时,增益增加62%,当环内径增大10%,增益减小57%,因此增益与脊高度正相关,与环内径负相关,且相关性十分明显。

沟道侵蚀型泥石流起动临界条件研究进展

沟道侵蚀型泥石流是泥石流的主要类型之一,研究其起动机理和起动临界条件有助于泥石流治理和预警预报。虽然多年来对沟道侵蚀型泥石流的起动研究有了一些成果,但目前对其起动机理的认识还存在局限,现有起动临界条件计算方法也不成熟,在很大程度上制约了防灾减灾的进展。为深入研究沟道侵蚀型泥石流的形成机理和起动临界条件计算方法,回顾了国内外学者在相关领域的研究成果,系统总结了沟道侵蚀型泥石流起动研究现状,并对沟道侵蚀型泥石流未来研究方向做出展望。

毫米波沟道梯型行波管的等效电路分析

建立了沟道梯型行波管的等效电路模型,并用等效电路与模拟软件相结合的方法求解了沟道梯型慢波电路的色散、耦合阻抗和衰减,所得到的本征频率与实验数据的误差在0.5%以内,耦合阻抗与实验数据的误差在10%以内.与使用数值软件HFSS相比较,等效电路方法的耗时仅是它的数十分之一.

碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究

SiCMOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiCMOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H-SiCMOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N2O退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代NO。

TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺

5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。

V型沟道上发生的液滴自推进现象

在V型沟道上研究了基于"Leidenfrost现象"的液滴自推进运动情况.V型沟道的引入,不仅解决了以往平板构型下自推进运动的不稳定问题,而且可以降低液滴的转变温度,使自推进现象更容易发生.

一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端

针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.

保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究

研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性。