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不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究
被引量:
4
1
作者
严剑飞
吴志明
+2 位作者
太惠玲
李娴
付嵩琦
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期52-55,108,共5页
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈...
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈值电压随着宽长比的增大而减小,漏电流随沟道宽长比的增大而增大;当源漏极间电压在一定范围内时,开态电流也随沟道宽长比的增大而增大。
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关键词
沟道宽长比
有机薄膜晶体管
迁移率
阈值电压
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职称材料
α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究
被引量:
2
2
作者
李娴
蒋亚东
+1 位作者
谢光忠
太惠玲
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第22期16-19,34,共5页
以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性...
以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。
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关键词
沟道宽长比
有机薄膜晶体管
二氧化氮
灵敏度
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职称材料
电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化
被引量:
1
3
作者
刘春艳
李媛
《微处理机》
2019年第2期26-29,共4页
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反...
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响。仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化。
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关键词
阈值电压
栅氧化层厚度
掺杂浓度
导电
沟道宽长比
瞬态特性
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职称材料
题名
不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究
被引量:
4
1
作者
严剑飞
吴志明
太惠玲
李娴
付嵩琦
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期52-55,108,共5页
基金
总装预研基金项目
文摘
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈值电压随着宽长比的增大而减小,漏电流随沟道宽长比的增大而增大;当源漏极间电压在一定范围内时,开态电流也随沟道宽长比的增大而增大。
关键词
沟道宽长比
有机薄膜晶体管
迁移率
阈值电压
Keywords
ratio of channel width to length
OTFT
mobility
threshold voltage
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究
被引量:
2
2
作者
李娴
蒋亚东
谢光忠
太惠玲
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第22期16-19,34,共5页
基金
总装预研基金项目(9140A23060510DZ02)
国家自然科学基金青年基金(61101031)
文摘
以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。
关键词
沟道宽长比
有机薄膜晶体管
二氧化氮
灵敏度
Keywords
ratio of channel width to length, organic thin film transistors, nitrogen dioxide, sensitivity
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化
被引量:
1
3
作者
刘春艳
李媛
机构
渤海大学新能源学院
出处
《微处理机》
2019年第2期26-29,共4页
文摘
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响。仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化。
关键词
阈值电压
栅氧化层厚度
掺杂浓度
导电
沟道宽长比
瞬态特性
Keywords
Threshold voltage
Gate oxide thickness
Doping concentration
Width-length ratio of conductive channel
Transient characteristics
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究
严剑飞
吴志明
太惠玲
李娴
付嵩琦
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
2
α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究
李娴
蒋亚东
谢光忠
太惠玲
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
下载PDF
职称材料
3
电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化
刘春艳
李媛
《微处理机》
2019
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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