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不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究 被引量:4
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作者 严剑飞 吴志明 +2 位作者 太惠玲 李娴 付嵩琦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期52-55,108,共5页
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈... 以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈值电压随着宽长比的增大而减小,漏电流随沟道宽长比的增大而增大;当源漏极间电压在一定范围内时,开态电流也随沟道宽长比的增大而增大。 展开更多
关键词 沟道宽长比 有机薄膜晶体管 迁移率 阈值电压
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α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究 被引量:2
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作者 李娴 蒋亚东 +1 位作者 谢光忠 太惠玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期16-19,34,共5页
以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性... 以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。 展开更多
关键词 沟道宽长比 有机薄膜晶体管 二氧化氮 灵敏度
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电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化 被引量:1
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作者 刘春艳 李媛 《微处理机》 2019年第2期26-29,共4页
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反... 反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响。仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化。 展开更多
关键词 阈值电压 栅氧化层厚度 掺杂浓度 导电沟道宽长比 瞬态特性
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