槽栅PMOSFET沟道杂质浓度对其特性影响

利用二维器件仿真软件MEDICI,基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究 ,并与相应平面器件的特性进行了对比 .研究发现 ,随着沟道掺杂浓度的提高 ,与平面器件相同 ,槽栅器件的阈值电压提高 ,漏极驱动能力降低 ,抗热载流子效应增强 ;但与平面器件相比 ,槽栅器件的阈值电压受沟道杂质浓度影响较小 ,漏极驱动能力随沟道杂质浓度提高的退化则较平面器件严重 ,抗热载流子能力的增强较平面器件大得多 .因此在基本不影响其他特性的条件下 。

P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。