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MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法
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作者 朱建纲 张卫东 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期32-35,共4页
采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．
关键词 MOS 场效应晶体管 IC 沟道水平电场
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