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超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
1
作者
杨林安
于春利
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1390-1395,共6页
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
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关键词
LDD
NMOSFET
热
载流子
退化
沟道热载流子应力
漏雪崩
热
载流子
应力
幸运电子模型
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职称材料
题名
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
1
作者
杨林安
于春利
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1390-1395,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60376024)
国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
文摘
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
关键词
LDD
NMOSFET
热
载流子
退化
沟道热载流子应力
漏雪崩
热
载流子
应力
幸运电子模型
Keywords
LDD nMOSFET
hot carrier degradation
channel hot carrier stress
drain avalanche hot carrier stress
lucky electron model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
杨林安
于春利
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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职称材料
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