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MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法
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作者 朱建纲 张卫东 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期32-35,共4页
采用线性近似的方法,对MOS器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究,给出了一种较精确的简便计算方法.在该电场模型的基础上,建立了整个热载流子效应的模型框架.
关键词 MOS 场效应晶体管 IC 水平电场
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用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN/GaN异质结能带
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期31-35,共5页
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。... 自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。 展开更多
关键词 CF4 等离子体处理 能带剪裁 F离子注入和势垒层腐蚀 肖特基势垒 欧姆接触 沟道电场控制 电流崩塌
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基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法(英文)
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作者 张博文 颜伟 +10 位作者 李兆峰 白龙 Grzegorz Cywinski Ivan Yahniuk Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Jacek Przybytek Dmytro B.But Dominique Coquillat Wojciech Knap 杨富华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期389-392,共4页
在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不... 在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不容易得到的情况.通过流片完成的基于氮化镓高电子迁移率晶体管的太赫兹探测器的响应度测试证实了这种方法的有效性.集成碟形天线和双偶极子天线的太赫兹探测器最大响应度分别在170.7 GHz(1568.4 V/W)和124.3 GHz(1047.2 V/W)频点处测得,这个测试结果接近基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真结果. 展开更多
关键词 太赫兹探测器 平面天线 沟道电场 场效应晶体管
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部分重叠双栅MOSFET特性的研究
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作者 韩名君 赵阳 柯导明 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第2期43-47,共5页
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电... 研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小. 展开更多
关键词 部分重叠双栅 分裂双栅 效应 栅电容 表面电场
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Channel Lateral Pocket or Halo Region of NMOSFET Characterized by Interface State R G Current of the Forward Gated Diode
5
作者 何进 黄爱华 +1 位作者 张兴 黄如 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期826-831,共6页
The channel lateral pocket or halo region of NMOSFET characterized by interface state R G current of a forward gated diode has been investigated numerically for the first time.The result of numerical analysis demons... The channel lateral pocket or halo region of NMOSFET characterized by interface state R G current of a forward gated diode has been investigated numerically for the first time.The result of numerical analysis demonstrates that the effective surface doping concentration and the interface state density of the pocket or halo region are interface states R G current peak position dependent and amplitude dependent,respectively.It can be expressed quantitatively according to the device physics knowledge,thus,the direct characterization of the interface state density and the effective surface doping concentration of the pocket or halo becomes very easy. 展开更多
关键词 forward gated diode R G current MOSFET pocket or halo implant region interface states effective surface doping concentration
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The Bipolar Field-Effect Transistor:II.Drift-Diffusion Current Theory(Two-MOS-Gates on Pure-Base)
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作者 薩支唐 揭斌斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1849-1859,共11页
This paper describes the drift-diffusion theory of the bipolar field-effect transistor (BiFET) with two identical and connected metal-oxide-silicon-gates (MOS-gates) on a thin-pure-base. Analytical solution is obt... This paper describes the drift-diffusion theory of the bipolar field-effect transistor (BiFET) with two identical and connected metal-oxide-silicon-gates (MOS-gates) on a thin-pure-base. Analytical solution is obtained by partitioning the two-dimensional transistor into two one-dimensional problems coupled by the parametric sur- face-electric-potential. Total and component output and transfer currents and conductances versus D. C. voltages from the drift-diffusion theory, and their deviations from the electrochemical (quasi-Fermi) potential-gradient theory,are presented over practical ranges of thicknesses of the silicon base and gate oxide. A substantial contri- bution from the longitudinal gradient of the square of the transverse electric field is shown. 展开更多
关键词 bipolar field-effect transistor theory MOS field-effect transistor simultaneous electron and holesurface and volume channels surface potential~ longitudinal gradient of transverse electric field
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一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究 被引量:8
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作者 刘红侠 郑雪峰 +2 位作者 韩晓亮 郝跃 张绵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期2576-2579,共4页
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关... 通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 .进一步改进GaAsPHEMT的击穿电压 。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 PHEMT器件 可靠性评估 碰撞电离率 GAAS 退化 沟道电场峰值 砷化镓晶体管
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新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究 被引量:1
8
作者 童建农 邹雪城 沈绪榜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期2905-2909,共5页
应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应... 应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,并且拐角结构在 4 5°左右时拐角效应最大 .调节拐角与其他结构参数 ,器件的热载流子效应、阈值电压特性、亚阈值特性。 展开更多
关键词 槽栅MOSFET 拐角效应 阈值电压 热载流子退化 沟道电场 结构参数
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计算机辅助LDMOS器件性能参数分析
9
作者 王纪民 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第S1期97-100,共4页
对横向双扩散MOS器件的沟道夹断,电流饱和以及输出特性做出理论解释。用一组解析方程式描述横向双扩散MOS(LDMOS)器件参数之间的关系。用计算机对方程求解,得到了栅电压,漏电压和漏电流之间的关系曲线以及亚开启特性,... 对横向双扩散MOS器件的沟道夹断,电流饱和以及输出特性做出理论解释。用一组解析方程式描述横向双扩散MOS(LDMOS)器件参数之间的关系。用计算机对方程求解,得到了栅电压,漏电压和漏电流之间的关系曲线以及亚开启特性,漏端动态负阻现象等。同时给出了不同漏电压下,沟道内部的电位分布、电场分布,各点上的漂移电流和扩散电流分布。对饱和机理进行了计算分析,提出了初始夹断电压和由夹断点电场决定的终点夹断电压,给出了一组计算曲线。对不同漏电压下沟道内部参数分布及其变化进行了计算,对LDMOS器件负阻现象和其它性能进行了解释。 展开更多
关键词 非均匀 I-V特性 负阻 沟道电场分布 亚开启
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纳米MOSFET迁移率解析模型
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作者 代月花 陈军宁 +2 位作者 柯导明 孙家讹 胡媛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期6090-6094,共5页
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载... 从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度. 展开更多
关键词 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 有效电场
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