远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵

设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。

旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2

沟道台面衬底三段大光腔激光器

本文报道了一种新型结构的半导体激光器——沟道台面衬底三段大光腔激光器,它具有阈值电流低、高输出功率和易获得基横模单纵模工作的特点.

沟道-衬底结对旁栅偏压条件下GaAs MESFET沟道电流迟滞行为的影响

旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道-衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL2的电子俘获和电子发射的响应比较慢.当旁栅偏压稳态变化时,沟道电流的迟滞现象将消失,即存在一个迟滞行为消失的"准静态".这一发现和结论对于MMIC的设计将具有比较重要的指导意义和参考价值.

GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析

探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。

选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究

主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.