Oxide TFT-LCD工艺中金属钝化层Via Hole存在SiO_2残留问题研究

文章以硅烷(SiH_4)和笑气(N_2O)为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO_2薄膜。文章阐述了TFT-LCD生产中由于SiO_2膜质问题所造成的沟道钝化层孔内刻蚀残留,并根据产线的情况对这些问题进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。