MOS管沟道长度及衬底调制效应对其特性曲线影响的计算机模拟

借助 CAD电路仿真工具 PSpice模拟研究了

高频控制开关用沟槽MOSFET的研究

高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释。

CMOS反相器电压传输特性的分析和仿真

利用CMOS模拟电路理论,详细分析了CMOS反相器的大信号传输特性和小信号传输特性,并且给出了相应的M atLab和Psp ice仿真结果.

一种高精度电流镜电路架构的设计

电流镜在模拟电路中是核心模块之一,在模拟电路要求较高的场合,精度是决定电流镜性能的重要参数之一;但随着工艺尺寸的减小,由于沟道长度调制效应,电流镜电流匹配精度变低;采用UMC 65 nm工艺,通过Cadence公司的Spectre进行仿真验证,文章所提出的电流镜电路架构实现了较高的精度,使得随着工艺尺寸的减小所带来的偏差能够很大程度减小,满足了电路对高精度的要求。

AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

AlGaN/GaN HEMT外部边缘电容Cofd是由栅极垂直侧壁与二维电子气水平壁之间的电场构成的等效电容.本文基于保角映射法对Cofd进行物理建模,考虑沟道长度调制效应,研究外部偏置、阈值电压漂移和温度变化对Cofd的影响:随着漏源偏压从零开始增加,Cofd先保持不变再开始衰减,其衰减速率随栅源偏压的增加而减缓;AlGaN势垒层中施主杂质浓度的减小和Al组分的减小都可引起阈值电压的正向漂移,正向阈值漂移会加强沟道长度调制效应对Cofd的影响,导致Cofd呈线性衰减.在大漏极偏压工作情况下,Cofd对器件工作温度的变化更加敏感.

1.8VCascode电流基准源设计与仿真

针对传统基准电流源因沟道长度调制效应导致的支路电流不一致的问题,本文从电路分析原理出发,设计了一个Cascode结构的高阻抗电流基准源,详细分析了基准电路内部存在的反馈方式,Cascode电路以及自启动电路的工作原理,对支路电流进行了定性分析。基于Cadence Spectre仿真工具,完成了电路的设计与仿真、版图的绘制。通过仿真,在1.8V的电源电压、TSMC0.18μm CMOS的工艺下,电流基准源在达到正常工作状态后两支路能稳定输出10μA的电流且与电源电压无关,并提高了电路的输出阻抗;在-20℃~120℃下,温漂系数为133ppm/℃;电路功耗仅为58.33μW。符合设计目标。